公开(公告)号：CN106486543A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610008536.7

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游政昇 ,  林信志 ,  黄坤铭 ,  陈列全 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体器件包括位于衬底上的第一III-V族化合物层、位于第一III-V族化合物层上的第二III-V族化合物层、设置在第二III-V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属堆叠件和漏极接触件之间的栅极场板、形成在源极接触件和漏极接触件上的抗反射涂层(ARC)层以及形成在ARC层上的蚀刻停止层，其中，第一III-V族化合物层的材料与第二III-V族化合物层的材料不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106486543B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201610008536.7

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游政昇 ,  林信志 ,  黄坤铭 ,  陈列全 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体器件包括位于衬底上的第一III‑V族化合物层、位于第一III‑V族化合物层上的第二III‑V族化合物层、设置在第二III‑V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属堆叠件和漏极接触件之间的栅极场板、形成在源极接触件和漏极接触件上的抗反射涂层(ARC)层以及形成在ARC层上的蚀刻停止层，其中，第一III‑V族化合物层的材料与第二III‑V族化合物层的材料不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。