公开(公告)号：CN115394670A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202111192667.2

申请日：2021-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭民松 ,  萧训国 ,  陈仲诚 ,  陈柏玮

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: 一种测量图案，其用于监测接合晶片的迭对位移，所述接合晶片包括顶部晶片图案以及底部晶片图案。顶部晶片图案包括第一部分，其具有沿着第一轴测量的宽度Wx1。底部晶片图案包括第一部件，其具有沿着第一轴测量的宽度Wx2，其中顶部晶片图案的第一部分与底部晶片图案的第一部件间隔目标距离Dx，且其中测量图案满足以下测量公式:Tx>Dx–Sx；Tx Sx；Tx

公开(公告)号：CN108962828B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710559938.0

申请日：2017-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利 ,  陈仲诚

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN115527840A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211062634.0

申请日：2022-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭民松 ,  洪義凯 ,  陈柏玮 ,  陈仲诚

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/20 ,  H01L21/784

Abstract: 提供半导体装置及制造方法，其中在基板上方形成围栏，且在基板上方成长III‑V族材料，其中围栏阻挡III‑V族材料的成长。因此，成长较小面积的III‑V族材料，从而防止随着较大片材的成长而产生的应力。

公开(公告)号：CN110970335A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910932935.6

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭民松 ,  刘芳瑜 ,  陈柏玮 ,  陈仲诚 ,  杨智渊 ,  柯柄成

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种用于储存及运输半导体元件的设备，包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一前侧壁、第一后侧壁、顶壁及从第一后侧壁一体地延伸的至少一销固持器。第二部分包括第二前侧壁、第二后侧壁、底壁及与第二后侧壁一体地耦接并从第二后侧壁延伸的至少一枢轴销结构。至少一枢轴销结构包括轴及与轴连接的头部。至少一销固持器界定空腔，空腔的尺寸及形状设计成接纳至少一枢轴销结构的头部。第一部分及第二部分可在开启配置及关闭容器配置之间枢转地移动。

公开(公告)号：CN108962828A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710559938.0

申请日：2017-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利 ,  陈仲诚

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。