公开(公告)号：CN109256375A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810419528.0

申请日：2018-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  杨钧沂 ,  黄坤铭 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。

公开(公告)号：CN113764297B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202110275812.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏 ,  黄若榕 ,  杨钧沂 ,  陈昆龙

IPC: H01L21/66 ,  H10D62/85 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。

公开(公告)号：CN113764297A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110275812.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏 ,  黄若榕 ,  杨钧沂 ,  陈昆龙

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。

公开(公告)号：CN109256375B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201810419528.0

申请日：2018-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张铭宏 ,  杨钧沂 ,  黄坤铭 ,  褚伯韬 ,  王升平 ,  郭建利

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。