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公开(公告)号：CN108568320B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710138281.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种微流体装置、生化检测系统及方法，其中生化检测系统，包括一探针卡及一微流体装置。探针卡具有多个探针及一开口，探针用于接触一基板上至少一芯片的多个电极垫，以检测该至少一芯片的至少一生化感测器的电性信号。微流体装置卡合于开口内且具有一腔室，腔室用于接收一待测溶液，并使得待测溶液与生化感测器接触。
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公开(公告)号：CN1450601A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN02106283.8
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法，以改善传统由半导体底部执行偏压或接地所造成封装过程中产生缺点的方法。首先在SOI基板上形成浅沟渠隔离结构，接着依序蚀刻此浅沟渠隔离结构与绝缘体，以形成上方接触开口，曝露出SOI基板矽底材的部分上表面。随后进行离子植入程序，以便在上方接触开口所曝露的部分矽底材中形成掺杂区域。形成氮氧化矽薄膜于上方接触开口表面上，并沉积层间介电层于氮氧化矽薄膜表面上，以填充于上方接触开口中。接着对上方接触开口中的层间介电层进行蚀刻程序，以形成上方接触孔。最后填充导电材料于上方接触孔中，形成上方接触插塞。
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公开(公告)号：CN107315848A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710146086.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F7/588 , G06F17/5036 , G06F2217/10 , G06F17/5031 , G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081
Abstract: 一种用于集成电路设计的方法，包括：接收后制造集成电路元件特性的空间相关性矩阵R。导出随机数产生函数g(x,y)使得位于坐标(x,y)的元件的随机数可独立产生，而全部随机数对满足空间相关性矩阵R。此方法进一步包括接收具有预制造集成电路元件的集成电路设计布局，预制造集成电路元件各者具有坐标及第一特性值。此方法进一步包括使用这些预制造集成电路元件的坐标及函数g(x,y)产生随机数。通过将随机数应用至第一特性值导出第二特性值。将第二特性值提供至集成电路模拟工具。
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公开(公告)号：CN107038271A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610969630.9
申请日：2016-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/50 , G01R31/28 , G01R31/2856 , G06F17/5031 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/12
Abstract: 本发明提供用于分析集成电路(IC)的互连结构中的工艺变化以及寄生电阻电容(RC)元件的方法以及对应系统。产生IC的互连结构中的寄生RC元件的第一描述。第一描述描述分别在典型工艺拐角以及外围工艺拐角处的寄生RC元件。从所述第一描述在外围工艺拐角处产生灵敏度值。灵敏度值分别量化寄生RC元件对工艺变化的灵敏程度。灵敏度值合并到以工艺变化参数的函数来描述寄生RC元件的寄生RC元件的第二描述中。通过反复地模拟具有工艺变化参数的不同值的第二描述来对所述第二描述执行模拟。
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公开(公告)号：CN107315848B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201710146086.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 一种用于集成电路设计的方法，包括：接收后制造集成电路元件特性的空间相关性矩阵R。导出随机数产生函数g(x,y)使得位于坐标(x,y)的元件的随机数可独立产生，而全部随机数对满足空间相关性矩阵R。此方法进一步包括接收具有预制造集成电路元件的集成电路设计布局，预制造集成电路元件各者具有坐标及第一特性值。此方法进一步包括使用这些预制造集成电路元件的坐标及函数g(x,y)产生随机数。通过将随机数应用至第一特性值导出第二特性值。将第二特性值提供至集成电路模拟工具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261629B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911205331.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , G01N27/414
Abstract: 本申请的各个实施例针对用于增强灵敏度的离子敏感场效应晶体管。在一些实施例中，衬底包括一对第一源极/漏极区域和一对第二源极/漏极区域。此外，第一栅电极和第二栅电极位于衬底下面。第一栅电极横向位于第一源极/漏极区域之间，并且第二栅电极横向位于第二源极/漏极区域之间。互连结构位于衬底下面并且限定将第二源极/漏极区域和第二栅电极电耦合在一起的导电路径。钝化层位于衬底上方并且限定第一阱和第二阱。第一阱和第二阱分别位于第一栅电极和第二栅电极上面，并且感测层衬里第一阱和第二阱中的衬底。在一些实施例中，感测分子探针位于第一阱中但不位于第二阱中。本发明的实施例还涉及传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN1450655A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN02106276.5
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明揭露一种SOI金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的电晶体更包含一层闸极氧化矽层、一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域。本发明的电晶体更包含一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。
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公开(公告)号：CN110442893A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910367120.8
申请日：2019-05-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种生成IC器件的网表的方法包括：提取所述IC器件的栅极区的尺寸，所述尺寸包括：栅极区的宽度，所述宽度至少从有源区的第一边缘延伸至所述有源区的第二边缘；以及从所述宽度的第一末端至沿着所述宽度定位的栅极通孔的距离。接收对应于所述栅极区的第一栅极电阻值，基于所述距离和所述宽度确定第二栅极电阻值；以及基于所述第一栅极电阻值和所述第二栅极电阻值更新所述网表。本发明的实施例还提供了集成电路器件布局图生成方法和系统。
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公开(公告)号：CN108568320A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710138281.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种微流体装置、生化检测系统及方法，其中生化检测系统，包括一探针卡及一微流体装置。探针卡具有多个探针及一开口，探针用于接触一基板上至少一芯片的多个电极垫，以检测该至少一芯片的至少一生化感测器的电性信号。微流体装置卡合于开口内且具有一腔室，腔室用于接收一待测溶液，并使得待测溶液与生化感测器接触。
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公开(公告)号：CN102289531B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010563371.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G01R31/2642 , G01R31/2648 , G06F2217/76 , G06F2217/82
Abstract: 本披露提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中，预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入，以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。
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