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公开(公告)号：CN102385650A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110049552.8
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种方法，包含确定数个集成电路的数个模型参数与数个电参数之间的映射。模型参数配置为供模拟工具所使用。提供电参数组，且上述的映射用以将所述电参数组映射至模型参数组。
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公开(公告)号：CN107315848B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201710146086.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 一种用于集成电路设计的方法，包括：接收后制造集成电路元件特性的空间相关性矩阵R。导出随机数产生函数g(x,y)使得位于坐标(x,y)的元件的随机数可独立产生，而全部随机数对满足空间相关性矩阵R。此方法进一步包括接收具有预制造集成电路元件的集成电路设计布局，预制造集成电路元件各者具有坐标及第一特性值。此方法进一步包括使用这些预制造集成电路元件的坐标及函数g(x,y)产生随机数。通过将随机数应用至第一特性值导出第二特性值。将第二特性值提供至集成电路模拟工具。
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公开(公告)号：CN102289531A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010563371.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G01R31/2642 , G01R31/2648 , G06F2217/76 , G06F2217/82
Abstract: 本发明提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中，预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入，以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102385650B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110049552.8
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种方法，包含确定数个集成电路的数个模型参数与数个电参数之间的映射。模型参数配置为供模拟工具所使用。提供电参数组，且上述的映射用以将所述电参数组映射至模型参数组。
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公开(公告)号：CN102289531B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010563371.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G01R31/2642 , G01R31/2648 , G06F2217/76 , G06F2217/82
Abstract: 本披露提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中，预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入，以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。
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公开(公告)号：CN107315848A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710146086.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F7/588 , G06F17/5036 , G06F2217/10 , G06F17/5031 , G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081
Abstract: 一种用于集成电路设计的方法，包括：接收后制造集成电路元件特性的空间相关性矩阵R。导出随机数产生函数g(x,y)使得位于坐标(x,y)的元件的随机数可独立产生，而全部随机数对满足空间相关性矩阵R。此方法进一步包括接收具有预制造集成电路元件的集成电路设计布局，预制造集成电路元件各者具有坐标及第一特性值。此方法进一步包括使用这些预制造集成电路元件的坐标及函数g(x,y)产生随机数。通过将随机数应用至第一特性值导出第二特性值。将第二特性值提供至集成电路模拟工具。
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公开(公告)号：CN107038271A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610969630.9
申请日：2016-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/50 , G01R31/28 , G01R31/2856 , G06F17/5031 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/12
Abstract: 本发明提供用于分析集成电路(IC)的互连结构中的工艺变化以及寄生电阻电容(RC)元件的方法以及对应系统。产生IC的互连结构中的寄生RC元件的第一描述。第一描述描述分别在典型工艺拐角以及外围工艺拐角处的寄生RC元件。从所述第一描述在外围工艺拐角处产生灵敏度值。灵敏度值分别量化寄生RC元件对工艺变化的灵敏程度。灵敏度值合并到以工艺变化参数的函数来描述寄生RC元件的寄生RC元件的第二描述中。通过反复地模拟具有工艺变化参数的不同值的第二描述来对所述第二描述执行模拟。
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公开(公告)号：CN221782479U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202321636956.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及光波导终端装置。一种光波导终端装置包括光波导，所述光波导包含：第一部分，其具有沿第一方向的第一长度、沿横向于所述第一方向的第二方向的第一宽度及沿横向于所述第一及第二方向的第三方向的第一高度；及第二部分，其具有沿所述第一方向的第二长度、小于所述第一宽度的沿所述第二方向的第二宽度及沿所述第三方向的第二高度，所述第二部分具有所述第一方向上的锥形轮廓，所述第二部分具有不同于所述第一部分的光学特性且沿所述第一方向从所述第一部分延伸。
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