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公开(公告)号：CN101488498A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001320.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01G4/38
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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公开(公告)号：CN101533838A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810192971.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结合气隙和金属－氧化物－金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
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公开(公告)号：CN101174620A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710101842.6
申请日：2007-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。
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公开(公告)号：CN101174620B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710101842.6
申请日：2007-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。
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公开(公告)号：CN101533838B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810192971.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409283A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810098183.X
申请日：2008-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。
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公开(公告)号：CN101174623A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710153396.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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公开(公告)号：CN107038271A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610969630.9
申请日：2016-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/50 , G01R31/28 , G01R31/2856 , G06F17/5031 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/12
Abstract: 本发明提供用于分析集成电路(IC)的互连结构中的工艺变化以及寄生电阻电容(RC)元件的方法以及对应系统。产生IC的互连结构中的寄生RC元件的第一描述。第一描述描述分别在典型工艺拐角以及外围工艺拐角处的寄生RC元件。从所述第一描述在外围工艺拐角处产生灵敏度值。灵敏度值分别量化寄生RC元件对工艺变化的灵敏程度。灵敏度值合并到以工艺变化参数的函数来描述寄生RC元件的寄生RC元件的第二描述中。通过反复地模拟具有工艺变化参数的不同值的第二描述来对所述第二描述执行模拟。
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公开(公告)号：CN101409283B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810098183.X
申请日：2008-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。
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公开(公告)号：CN101488498B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910001320.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01G4/38
CPC classification number: H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
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