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公开(公告)号：CN1218400C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02122346.7
申请日：2002-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括：源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域，藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括：在SOI基板或类似结构上，以主动区域(OD)掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极；以及于沉积栅极材料层之后，形成包裹间隙壁。
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公开(公告)号：CN1459851A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02119720.2
申请日：2002-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种黏合式晶圆结构，具有组件层与底材等上下两层。组件层的信道是沿着 晶格方向，而底材的晶格方向则与组件层的晶格方向成45度角；亦即，上层的组件层的 晶格方向是对齐下层的底材的 晶格方向，且上层的组件层的 晶格方向是对齐下层的底材的 晶格方向∴运用本发明的黏合式晶圆结构，可具有改善电洞移动率以及抑制短信道效应等的优点；此外，运用本发明的黏合式晶圆结构仍能具有习知黏合式晶圆结构所具有的易于切割晶粒的优点。
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公开(公告)号：CN1228859C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02106276.5
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明揭露一种SOI金属氧化物半导体场效应晶体管，其包含一半导体基板、一层埋层氧化硅层、一硅层，并包含多个浅槽隔绝区域、一本体、一源极、一漏极、与一本体接触窗区域，其皆位于所述硅层中，其中所述本体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的晶体管更包含一层栅极氧化硅层、一多晶硅栅极与一分支多晶硅层，所述分支多晶硅层与所述多晶硅栅极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述本体接触窗区域。本发明的晶体管更包含一栅极接触窗，所述栅极接触窗位于所述多晶硅栅极的延伸线上并连接至所述多晶硅栅极。
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公开(公告)号：CN1516287A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03100978.6
申请日：2003-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管(TBMOS)，可应用在传统本体(Bulk)基材或部分空乏绝缘层上覆硅(PD SOI)基材中，用来在栅极与基材之间形成穿隧连接(Tunnel Connection)。本发明所述晶体管中的栅极座具有稍长于一般栅极座的长度，并且在栅极座的一端具有与另一端反相的离子植入区，可允许N型金属氧化物半导体晶体管中的空穴，P型金属氧化物半导体晶体管中的电子，由栅极穿隧到基材中。由于空穴电流可自我限制，因此可应用于操作电压大于0.7伏特的情况，并且可避免现有的晶体管元件具有过大漏电流的缺点。另外，本发明的晶体管结构还可避免N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管之间的串扰(Crosstalk)现象。
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公开(公告)号：CN100390947C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410030050.0
申请日：2004-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。先于基底的有源区中形成沟槽，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟槽的侧壁及其外缘，再形成栅介电层于暴露出的基底上。然后，在沟槽上形成栅极，再进行离子注入，以在第一绝缘间隙壁下方与栅极外侧的基底中形成源极/漏极。接着，在基底上形成绝缘层，再以非等向性蚀刻法蚀刻此绝缘层，以在栅极的侧壁上形成多个第二绝缘间隙壁，并暴露出栅极外侧的基底的表面。最后，形成硅化金属层于暴露出的栅极与基底的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1310337C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03100978.6
申请日：2003-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种隧道偏压金属氧化物半导体晶体管(TBMOS)，可应用在传统本体(Bulk)基材或部分耗尽绝缘层上覆硅(PD SOI)基材中，用来在栅极与基材之间形成隧道连接(Tunnel Connection)。本发明所述晶体管中的栅极座具有稍长于一般栅极座的长度，并且在栅极座的一端具有与另一端反相的离子注入区，可允许N型金属氧化物半导体晶体管中的空穴，P型金属氧化物半导体晶体管中的电子，由栅极隧道到基材中。由于空穴电流可自我限制，因此可应用于操作电压大于0.7伏特的情况，并且可避免现有的晶体管元件具有过大漏电流的缺点。另外，本发明的晶体管结构还可避免N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管之间的串扰(Crosstalk)现象。
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公开(公告)号：CN1450601A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN02106283.8
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法，以改善传统由半导体底部执行偏压或接地所造成封装过程中产生缺点的方法。首先在SOI基板上形成浅沟渠隔离结构，接着依序蚀刻此浅沟渠隔离结构与绝缘体，以形成上方接触开口，曝露出SOI基板矽底材的部分上表面。随后进行离子植入程序，以便在上方接触开口所曝露的部分矽底材中形成掺杂区域。形成氮氧化矽薄膜于上方接触开口表面上，并沉积层间介电层于氮氧化矽薄膜表面上，以填充于上方接触开口中。接着对上方接触开口中的层间介电层进行蚀刻程序，以形成上方接触孔。最后填充导电材料于上方接触孔中，形成上方接触插塞。
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公开(公告)号：CN1979892A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510124395.7
申请日：2005-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种具有体接触窗的鳍状场效晶体管及其制造方法，该场效晶体管包括鳍状通道、源极、汲极、体接触窗、闸介电层与闸极。源极与汲极与鳍状通道的两端相接，体接触窗位于鳍状通道的一侧并藉由导线与其相接。闸介电层覆在鳍状通道的表面，而闸极位于鳍状通道的另一侧，并跨越其上。该场效晶体管的制造方法包括：形成绝缘层与半导体层，图案化半导体层以形成T形通道，同时形成源极、汲极与体接触窗分别于T形通道的三个端点上，源极与汲极位于T形通道的横向通道的相对两端点上。形成闸介电层于T形通道、源极、汲极与体接触窗上，形成导电层。图案化导电层以形成闸极跨越于T形通道的横向通道上，闸极与体接触窗分别位于T形通道的横向通道的两侧。
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公开(公告)号：CN1670927A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410030050.0
申请日：2004-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘，再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后，在沟渠上形成栅极，再进行离子布植，以在第一绝缘间隙壁下方与栅极外侧的基底中形成源极/漏极。接着，在基底上形成绝缘层，再以非等向性蚀刻法蚀刻此绝缘层，以在栅极的侧壁上形成多个第二绝缘间隙壁，并暴露出栅极外侧的基底的表面。最后，形成硅化金属层于暴露出的栅极与基底的上表面。
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公开(公告)号：CN1450655A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN02106276.5
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明揭露一种SOI金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的电晶体更包含一层闸极氧化矽层、一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域。本发明的电晶体更包含一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。
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