公开(公告)号：CN1228859C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02106276.5

申请日：2002-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏哿暐 ,  何肇康 ,  杨富量 ,  詹宜陵

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明揭露一种SOI金属氧化物半导体场效应晶体管，其包含一半导体基板、一层埋层氧化硅层、一硅层，并包含多个浅槽隔绝区域、一本体、一源极、一漏极、与一本体接触窗区域，其皆位于所述硅层中，其中所述本体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的晶体管更包含一层栅极氧化硅层、一多晶硅栅极与一分支多晶硅层，所述分支多晶硅层与所述多晶硅栅极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述本体接触窗区域。本发明的晶体管更包含一栅极接触窗，所述栅极接触窗位于所述多晶硅栅极的延伸线上并连接至所述多晶硅栅极。

公开(公告)号：CN1450655A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN02106276.5

申请日：2002-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏哿暐 ,  何肇康 ,  杨富量 ,  詹宜陵

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明揭露一种SOI金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的电晶体更包含一层闸极氧化矽层、一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域。本发明的电晶体更包含一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。