公开(公告)号：CN102289531A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201010563371.2

申请日：2010-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗嘉琳 ,  苏哿暐 ,  郑敏祺 ,  萧凤玲 ,  萧铮 ,  黄怡硕 ,  陈怡君

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G01R31/2642 ,  G01R31/2648 ,  G06F2217/76 ,  G06F2217/82

Abstract: 本发明提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中，预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入，以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。

公开(公告)号：CN102289531B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010563371.2

申请日：2010-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗嘉琳 ,  苏哿暐 ,  郑敏祺 ,  萧凤玲 ,  萧铮 ,  黄怡硕 ,  陈怡君

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G01R31/2642 ,  G01R31/2648 ,  G06F2217/76 ,  G06F2217/82

Abstract: 本披露提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中，预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入，以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时间后劣化的至少两个不同斜率值。此系统累加上述多个斜率值并且预估经过一长段时间后的此累加的斜率值以决定半导体装置的应力效应。本发明的预测比先前的系统更准确。