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公开(公告)号：CN110442893A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910367120.8
申请日：2019-05-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种生成IC器件的网表的方法包括：提取所述IC器件的栅极区的尺寸，所述尺寸包括：栅极区的宽度，所述宽度至少从有源区的第一边缘延伸至所述有源区的第二边缘；以及从所述宽度的第一末端至沿着所述宽度定位的栅极通孔的距离。接收对应于所述栅极区的第一栅极电阻值，基于所述距离和所述宽度确定第二栅极电阻值；以及基于所述第一栅极电阻值和所述第二栅极电阻值更新所述网表。本发明的实施例还提供了集成电路器件布局图生成方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103294842B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210199922.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F7/00 , G06F17/5036 , G06F2217/82
Abstract: 在通过至少一个处理器执行的半导体器件设计方法中，从半导体器件的布局中提取第一电子部件和第二电子部件。半导体器件具有半导体衬底以及半导体衬底中的第一电子部件和第二电子部件。使用第一工具提取第一电子部件和第二电子部件之间的半导体衬底中的耦合件的寄生参数。使用不同于第一工具的第二工具提取第一电子部件和第二电子部件的固有参数。所提取的寄生参数和固有参数组合到半导体器件的模型中。基于第二工具所包括的耦合件的模型来提取耦合件的寄生参数。本发明还提供了半导体器件设计方法、系统和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN113536728B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110767283.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/33
Abstract: 公开了一种用于存储和重新使用布局单元的PC描述的方法。数据库存储预先由3D场求解器计算的预定义单元和PC描述。关于布局图中的候选单元，在数据库中搜索预定义单元中的基本匹配项。如果存在匹配，则在布局图中将匹配的预定义单元的已存储PC描述分配给候选单元，从而避免了对PC描述进行离散地计算的情况。如果不匹配，则将3D场求解器应用于候选单元，以便计算候选单元的PC描述。为了便于重新使用新计算的PC描述，候选单元和新计算的PC描述作为新的预定义单元及其对应的PC描述存储在数据库中。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、系统以及非暂时性计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN113536728A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110767283.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/33
Abstract: 公开了一种用于存储和重新使用布局单元的PC描述的方法。数据库存储预先由3D场求解器计算的预定义单元和PC描述。关于布局图中的候选单元，在数据库中搜索预定义单元中的基本匹配项。如果存在匹配，则在布局图中将匹配的预定义单元的已存储PC描述分配给候选单元，从而避免了对PC描述进行离散地计算的情况。如果不匹配，则将3D场求解器应用于候选单元，以便计算候选单元的PC描述。为了便于重新使用新计算的PC描述，候选单元和新计算的PC描述作为新的预定义单元及其对应的PC描述存储在数据库中。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、系统以及非暂时性计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN110442893B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910367120.8
申请日：2019-05-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种生成IC器件的网表的方法包括：提取所述IC器件的栅极区的尺寸，所述尺寸包括：栅极区的宽度，所述宽度至少从有源区的第一边缘延伸至所述有源区的第二边缘；以及从所述宽度的第一末端至沿着所述宽度定位的栅极通孔的距离。接收对应于所述栅极区的第一栅极电阻值，基于所述距离和所述宽度确定第二栅极电阻值；以及基于所述第一栅极电阻值和所述第二栅极电阻值更新所述网表。本发明的实施例还提供了集成电路器件布局图生成方法和系统。
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公开(公告)号：CN103294842A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210199922.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F7/00 , G06F17/5036 , G06F2217/82
Abstract: 在通过至少一个处理器执行的半导体器件设计方法中，从半导体器件的布局中提取第一电子部件和第二电子部件。半导体器件具有半导体衬底以及半导体衬底中的第一电子部件和第二电子部件。使用第一工具提取第一电子部件和第二电子部件之间的半导体衬底中的耦合件的寄生参数。使用不同于第一工具的第二工具提取第一电子部件和第二电子部件的固有参数。所提取的寄生参数和固有参数组合到半导体器件的模型中。基于第二工具所包括的耦合件的模型来提取耦合件的寄生参数。本发明还提供了半导体器件设计方法、系统和计算机可读介质。
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