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公开(公告)号：CN118398594A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311373288.2
申请日：2023-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 提供了互连结构及其形成方法。一种互连结构，包括：层间电介质中的接触过孔；第一电介质层中的第一导电特征，第一电介质层设置在层间电介质上方；第一电介质层中的第一衬垫，第一衬垫包括：与第一导电特征的侧壁表面接触的第一部分；以及与第一导电特征的底表面接触的第二部分。互连结构包括：与第一导电特征的顶表面接触的第一覆盖层；第二电介质层中的第二导电特征，第二电介质层设置在第一电介质层上方；第二电介质层中的第二衬垫，其中第一导电特征和第二导电特征包括第一导电材料，并且接触过孔、第一衬垫、第一覆盖层和第二衬垫包括化学上不同于第一导电材料的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN118610255A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410572290.0
申请日：2024-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 描述了半导体装置结构及其形成方法。在部分实施方式中，该结构包括位于在基板上的N型源极/漏极磊晶特征、在基板上的P型源极/漏极磊晶特征、直接设置在N型源极/漏极磊晶特征上的第一硅化物层以及直接设置在P型源/漏极磊晶特征上的第二硅化物层。第一和第二硅化物层包含第一金属，第二硅化物层比第一硅化物层实质上更厚。该结构更包含直接设置在该第一硅化物层上的第三硅化物层以及直接设置在该第二硅化物层上的第四硅化物层。第三和该第四硅化物层包含与该第一金属不同的一第二金属，且第三硅化物层比第四硅化物层实质上更厚。
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公开(公告)号：CN118231349A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311696056.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。本公开实施例的方法包括：接收工件，工件包括位于衬底上方的底部源极/漏极部件、位于底部源极/漏极部件上方的第一介电层、位于第一介电层上方的顶部源极/漏极部件以及位于顶部源极/漏极部件上方的第二介电层；穿过第二介电层形成前侧开口以暴露顶部源极/漏极部件的部分；在顶部源极/漏极部件的暴露部分上选择性沉积第一硅化物层；在第一硅化物层上方形成顶部金属填充层以填充前侧开口；穿过衬底形成背侧开口以暴露底部源极/漏极部件的部分；在底部源极/漏极部件的暴露部分上选择性沉积第二硅化物层；以及在第二硅化物层上形成底部金属填充层。
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公开(公告)号：CN118712134A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739897.3
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本文公开了用于堆叠器件结构的具有高热稳定性的器件层级互连件。示例性堆叠半导体结构包括：上部源极/漏极接触件，设置在上部外延源极/漏极上；下部源极/漏极接触件，设置在下部外延源极/漏极上；以及源极/漏极通孔，连接至上部源极/漏极接触件和下部源极/漏极接触件。源极/漏极通孔设置在上部源极/漏极接触件上，源极/漏极通孔在上部源极/漏极接触件下方延伸，并且源极/漏极通孔包括钌和铝。在一些实施例中，源极/漏极通孔包括由铝衬垫包裹的钌插塞。在一些实施例中，源极/漏极通孔包括铝化钌插塞。在一些实施例中，源极/漏极通孔包括由铝化钌衬垫包裹的钌插塞。在一些实施例中，源极/漏极通孔在下部外延源极/漏极的顶部下方延伸。本申请的实施例还涉及半导体器件、半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN117012827A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310823555.5
申请日：2023-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L23/532
Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。源极/漏极组件设置在有源区上方，并由介电材料围绕。源极/漏极接触件被设置在源极/漏极组件上方。源极/漏极接触件包括导电盖层和具有与导电盖层不同的材料组成的导电材料。导电材料具有与导电盖层直接接触的凹陷底表面。源极/漏极通孔设置在源极/漏极接触件上方。源极/漏极通孔和导电材料具有不同的材料组成。导电盖层包含钨，导电材料包含钼，并且源极/漏极通孔包含钨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116469835A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210698450.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及晶体管中的功函数金属及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽；形成延伸进入沟槽内并且位于半导体区域上的栅极电介质层；以及在栅极电介质层之上沉积第一功函数层。第一功函数层包括选自由钌、钼及其组合组成的组中的金属。方法还包括：在第一功函数层之上沉积导电填充层；以及执行平坦化工艺以去除导电填充层、第一功函数层和栅极电介质层的多余部分，从而形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN220510044U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321545119.8
申请日：2023-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构，本公开描述了一种设置于半导体基板中的内埋导电结构及其形成方法。结构包含外延区，设置于基板上且相邻于纳米结构栅极层及纳米结构通道层；第一硅化物层，设置于外延区的顶部之内；以及第一导电结构，设置于第一硅化物层的顶表面上。结构还包含第二硅化物层，设置于外延区的底部之内；以及第二导电结构，设置于第二硅化物层的底表面上且贯穿基板，其中第二导电结构包含第一金属层，与第二硅化物层接触；以及第二金属层，与第一金属层接触。
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公开(公告)号：CN220510042U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321424060.7
申请日：2023-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体结构，包括一个或多个栅极结构位于介电层中以及于源极/漏极结构附近；间隙物包围栅极结构，由一层或多层材料组成；蚀刻停止层以及介电层于栅极结构上方，其位于栅极结构正上方的部分被去除以形成籽晶层以及栅极导孔；籽晶层位于栅极结构上方且毗邻于蚀刻停止层；栅极导孔于籽晶层上方且通过籽晶层与栅极结构电性连接。
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公开(公告)号：CN222803316U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421425886.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构包含第一晶体管、第二晶体管、第一金属硅化物层、第一无氟钨层及第一钨接触。第一晶体管包含多个第一半导体片；包围第一半导体片中的每一者的第一栅极结构；及位于第一半导体片中的每一者的任一侧上的多个第一源极/漏极结构。第二晶体管位于第一晶体管上方。第二晶体管包含多个第二半导体片；包围第二半导体片中的每一者的第二栅极结构；位于第二半导体片中的每一者的任一侧上的多个第二源极/漏极结构。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极结构中的一者上。第一无氟钨层位于第一金属硅化物层上。第一钨接触位于第一无氟钨层上。
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公开(公告)号：CN220172137U
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202321263658.2
申请日：2023-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置结构，包含基底；外延源极/漏极区，设置于基底上方；介电层位于外延源极/漏极区上方；导电部件延伸通过介电层。导电部件电性耦接至外延源极/漏极区。介电层形成围绕导电部件的侧壁；保护衬垫沿侧壁及导电部件延伸并物理接触侧壁及导电部件。保护衬垫被凹陷，以暴露侧壁的一部分，侧壁的此部分具有从介电层的顶表面延伸到保护衬垫的长度，且导电部件接触侧壁的此部分；金属盖层，设置于外延源极/漏极区与导电部件的底表面之间。半导体装置结构还包含硅化物层，设置于外延源极/漏极区与金属盖层之间。金属盖层包含钨、钼或前述的组合。
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