公开(公告)号：CN115561492A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943460.2

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  陈颢 ,  孙传翔 ,  王敏哲 ,  李建成 ,  陈承先

IPC: G01R1/067

Abstract: 一种探针头结构，包括软性基板，具有顶面和底面。探针头结构包括第一探针柱，穿过基板。第一探针柱具有从底面凸出的第一突出部分。探针头结构包括重分布结构，位于基板的顶面和第一探针柱上，重分布结构与基板和第一探针柱直接接触。重分布结构包括位于介电结构中的介电结构和导线结构。导线结构电性连接至第一探针柱。探针头结构包括导线基板，位于重分布结构上方。探针头结构包括第一导电凸块，连接于导线基板和重分布结构之间。

公开(公告)号：CN114975138A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210322160.2

申请日：2022-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  李光君 ,  李建成 ,  陈承先

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 提供封装结构及封装结构的形成方法。前述方法包括：设置芯片结构在基板上方；以及形成第一黏接元件在基板上方。第一黏接元件具有第一电阻率。前述方法亦包括：形成第二黏接元件在基板上方。第二黏接元件具有第二电阻率，且第二电阻率大于第一电阻率。前述方法还包括：通过第一黏接元件及第二黏接元件附接保护盖到基板。保护盖围绕芯片结构且覆盖芯片结构的顶表面。

公开(公告)号：CN106997854A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611181544.8

申请日：2016-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  刘献文 ,  林柏尧 ,  黄震麟 ,  吕学德 ,  郑心圃

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种实施例封装件包括第一封装件；接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯，并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN118263194A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410129128.1

申请日：2024-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  郭建利 ,  李光君 ,  李建成 ,  刘国洲

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装结构可包含封装基板、耦合至封装基板的半导体晶粒、以及接附至封装基板且覆盖半导体晶粒的封装盖体。封装盖体可包含具有随空间变化的热导率的顶部，在第一区中的热导率大于在第二区中的热导率。第一区可包含多膜层结构，其包含借由铜膜层支撑的金属/钻石复合材料。金属/钻石复合材料可包含银/钻石复合材料、铜/钻石复合材料、或铝/钻石复合材料，且可具有范围在约600至约900W/m·k之内的热导率，以及具有在约5至约10ppm/℃的第二范围内的热膨胀系数。封装盖体可具有范围为约14.5至约17ppm/℃的有效热膨胀系数。

公开(公告)号：CN102593072B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110249261.3

申请日：2011-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧 ,  林宗澍 ,  张国钦 ,  王守怡

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/055 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖式设计。

公开(公告)号：CN103035593A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210011507.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  卢景睿 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/44 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及的是一种封装结构上的封装件，该封装结构上的封装件通过在第一封装件和第二封装件之间引入刚性热连接件来改进导热性和机械强度。该第一封装件具有第一衬底和穿过第一衬底的通孔。第一组传导元件与第一衬底的通孔相对准并且与其相连接。刚性热连接件与第一组传导元件以及第二封装件的管芯相连接。第二组传导元件与管芯相连接，底部衬底与第二组传导元件相连接。散热连接件可以是，例如，中介层、散热器或导热层。本发明还提供了一种封装结构上的封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN117174690A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310482967.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安兰·艾登 ,  林文益 ,  罗登元

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 实施例半导体器件可以包括电互连层、电耦合到电互连层的接合焊盘、包括部分地覆盖接合焊盘表面的第一膜和部分地覆盖第一膜的第二膜的堆叠膜结构，在接合焊盘的部分表面上形成在第一膜中的第一孔，形成在第二膜中使得第二孔大于第一孔并且形成在第一孔上方使得第一孔完全位于第二孔的区域下方的第二孔，以及形成为与焊盘接触的焊料材料部。焊料材料部可以包括小于第二孔的尺寸的第一宽度，使得焊料材料部不接触第二膜。本申请的实施例还公开了一种形成半导体器件的接合结构的方法。

公开(公告)号：CN102779805B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110354955.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/32 ,  H01L23/4006 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/014

Abstract: 电路板级封装包括印刷电路板、安装在印刷电路板上的半导体管芯封装、调谐质量结构、以及安装到印刷电路板并且支撑调谐质量结构的支撑结构。本发明还提供了一种带有调谐质量阻尼结构的电路板级封装。

公开(公告)号：CN103000591B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110426156.2

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  刘育志 ,  游明志 ,  林宗澍 ,  苏柏荣 ,  卢景睿 ,  林韦廷

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/563 ,  H01L23/16 ,  H01L23/36 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种芯片封装件的环结构包括：适用于接合至衬底的框架部和至少一个角部。框架部围绕半导体芯片并限定内部开口，内部开口暴露衬底表面的一部分。至少一个角部从框架部的角部朝向芯片延伸，并且该角部没有尖角。本发明还提供了一种芯片封装件的环结构。

公开(公告)号：CN102779805A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110354955.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/32 ,  H01L23/4006 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/014

Abstract: 电路板级封装包括印刷电路板、安装在印刷电路板上的半导体管芯封装、调谐质量结构、以及安装到印刷电路板并且支撑调谐质量结构的支撑结构。本发明还提供了一种带有调谐质量阻尼结构的电路板级封装。