半导体结构及其形成方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118712075A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410720449.9

    申请日:2024-06-05

    Abstract: 实施例是一种形成半导体结构的方法,包括在第一衬底上方形成第一介电层,第一介电层中具有第一金属化图案。该方法还包括在第一介电层和第一金属化图案上方形成第二介电层。该方法还包括在第二介电层上方形成牺牲焊盘并且牺牲焊盘延伸至第二介电层中,牺牲焊盘电耦接至第一金属化图案中的第一导电部件。该方法还包括在牺牲焊盘上执行电路探针测试。该方法还包括在执行电路探针测试之后,执行蚀刻工艺,蚀刻工艺去除牺牲焊盘。本发明的实施例还提供了半导体结构。

    半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111987061B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201910423469.9

    申请日:2019-05-21

    Inventor: 王敏哲

    Abstract: 本申请提供半导体装置。一基底位于一第一互连结构之上。一无源元件位于基底内。一第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端,而每一第一硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第一凸块。每一第二硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第二端,而第二硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第二凸块。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111987061A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910423469.9

    申请日:2019-05-21

    Inventor: 王敏哲

    Abstract: 本申请提供半导体装置。一基底位于一第一互连结构之上。一无源元件位于基底内。一第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端,而每一第一硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第一凸块。每一第二硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第二端,而第二硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第二凸块。

    凸块球测试系统和方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106199375A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610107578.6

    申请日:2016-02-26

    Inventor: 周淳朴 王敏哲

    Abstract: 一种集成电路测试系统包括导电结构、与导电结构电连接的导电焊盘、与导电焊盘电连接的测试电路、与导电结构电连接的导电线,以及与测试电路连接的控制器,其中导电线配置为与地电位连接。控制器配置为选择性地使测试电路通过导电焊盘向导电结构供应电压。测试电路配置为向控制器提供显示导电结构是否与导电焊盘电连接的反馈。本发明实施例涉及凸块球测试系统和方法。

    半导体装置结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112420536A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202010848383.3

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 此处提供半导体装置结构。半导体装置结构包括半导体基板,其具有测试区,与多个第一导电线路位于测试区上。第一导电线路是电性串联。半导体装置结构亦包括多个第二导电线路位于测试区上。第二导电线路是电性串联,且第二导电线路与第一导电线路物理分隔。半导体装置结构还包括多个磁性结构,其包覆第一导电线路的部分并包覆第二导电线路的部分。磁性结构排列成行。

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