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公开(公告)号：CN113113392B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110023444.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。
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公开(公告)号：CN114975138A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210322160.2
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供封装结构及封装结构的形成方法。前述方法包括：设置芯片结构在基板上方；以及形成第一黏接元件在基板上方。第一黏接元件具有第一电阻率。前述方法亦包括：形成第二黏接元件在基板上方。第二黏接元件具有第二电阻率，且第二电阻率大于第一电阻率。前述方法还包括：通过第一黏接元件及第二黏接元件附接保护盖到基板。保护盖围绕芯片结构且覆盖芯片结构的顶表面。
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公开(公告)号：CN113113392A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110023444.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。
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公开(公告)号：CN118263194A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410129128.1
申请日：2024-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/06 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56
Abstract: 半导体封装结构可包含封装基板、耦合至封装基板的半导体晶粒、以及接附至封装基板且覆盖半导体晶粒的封装盖体。封装盖体可包含具有随空间变化的热导率的顶部，在第一区中的热导率大于在第二区中的热导率。第一区可包含多膜层结构，其包含借由铜膜层支撑的金属/钻石复合材料。金属/钻石复合材料可包含银/钻石复合材料、铜/钻石复合材料、或铝/钻石复合材料，且可具有范围在约600至约900W/m·k之内的热导率，以及具有在约5至约10ppm/℃的第二范围内的热膨胀系数。封装盖体可具有范围为约14.5至约17ppm/℃的有效热膨胀系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332190A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210670345.2
申请日：2022-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种芯片封装结构及其形成方法。所述芯片封装结构包括接合在一中介层基板之上的一半导体裸片。所述芯片封装结构也包括一翘曲释放层结构。翘曲释放层结构包括一有机材料层以及一上覆的高热膨胀系数材料层，所述高热膨胀系数材料层具有基本上等于或大于9ppm/℃的热膨胀系数。有机材料层与半导体裸片的上表面直接接触，上覆的高热膨胀系数材料层覆盖半导体裸片的上表面。
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公开(公告)号：CN109216289B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201810344148.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN114551261A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210057639.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/683
Abstract: 方法包括：通过真空抽吸将管芯附接至热压接合(TCB)头，其中，管芯包括多个导电柱；通过真空抽吸将第一衬底附接至卡盘，其中，第一衬底包括多个焊料凸块；使多个导电柱中的第一导电柱与多个焊料凸块中的第一焊料凸块接触，其中，使第一导电柱与第一焊料凸块接触产生第一导电柱的最顶面和第一焊料凸块的最底面之间的第一高度；以及将第一焊料凸块粘合至第一导电柱以形成第一接头，其中，将第一焊料凸块粘合至第一导电柱包括加热TCB头。本申请的实施例还涉及封装件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN109216289A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810344148.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN220510018U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321427928.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/427 , H01L23/24
Abstract: 一种半导体装置，封装结构包括封装组件及混合热界面材料。封装组件具有黏着到封装基板的一个或多个集成电路。混合热界面材料使用以聚合物为主的材料及以金属为主的材料的组合。以聚合物为主的材料具有高伸长率值，以金属为主的材料具有高导热率值。放置在封装组件的边缘上的以聚合物为主的热界面材料含有液态形式的以金属为主的热界面材料。
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