公开(公告)号：CN115377049A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712708.4

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅惠 ,  叶书伸 ,  许国经 ,  吕学德 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 提供一种半导体晶粒封装。所述半导体晶粒封装包括一半导体晶粒以及设置于半导体晶粒之下的一封装基板。半导体晶粒具有一角落。封装基板包括数个导电线，且在半导体晶粒的所述角落下方的导电线中的一者包括一第一线段及一第二线段。第一线段和第二线段连接在一起，且第二线段的线宽小于第一线段的线宽。第一线段是线性的并在一第一方向上延伸。第二线段是非线性的并具有变化的延伸方向。

公开(公告)号：CN105938821B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201610117616.6

申请日：2016-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  林文益 ,  吕学德 ,  游明志

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427 ,  H01L21/48

Abstract: 一种三维集成电路(3DIC)包括第一衬底和嵌入在第一衬底中的散热结构。该3DIC还包括电连接至第一衬底的管芯，其中，管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于管芯上的多个存储单元，其中，管芯介于多个存储单元和第一衬底之间，并且多个存储单元通过管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于多个存储单元上的外部冷却单元，其中，多个存储单元介于管芯和外部冷却单元之间，并且管芯通过多个存储单元热连接至外部冷却单元。本发明实施例涉及热增强的散热器。

公开(公告)号：CN105938821A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610117616.6

申请日：2016-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  林文益 ,  吕学德 ,  游明志

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427 ,  H01L21/48

Abstract: 一种三维集成电路(3DIC)包括第一衬底和嵌入在第一衬底中的散热结构。该3DIC还包括电连接至第一衬底的管芯，其中，管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于管芯上的多个存储单元，其中，管芯介于多个存储单元和第一衬底之间，并且多个存储单元通过管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于多个存储单元上的外部冷却单元，其中，多个存储单元介于管芯和外部冷却单元之间，并且管芯通过多个存储单元热连接至外部冷却单元。本发明实施例涉及热增强的散热器。

公开(公告)号：CN113140540B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202110185521.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾淑容 ,  吕学德

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体封装件包括：衬底；第一介电层，位于衬底上方；第一接合焊盘和第二接合焊盘，位于第一介电层上方，第一接合焊盘具有面向第二接合焊盘的第一侧壁；第二介电层，位于第一接合焊盘和第二接合焊盘上方；以及开口，穿过第二介电层并且从第一接合焊盘延伸至第二接合焊盘，开口包括位于第一接合焊盘上方并且暴露第一接合焊盘的第一区域，其中，在顶视图中，开口暴露第一侧壁的设置在与第一侧壁相交的第一区域的第一边缘和第二边缘之间的第一段，其中，第一侧壁的第一段位于第一侧壁的第二段和第三段之间，第二段由第二介电层覆盖。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN114975400A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210328913.0

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄贺昌 ,  李福仁 ,  曹佩华 ,  吕学德

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构及用以形成芯片封装结构的方法。所述芯片封装结构包括第一芯片结构，其包括基板以及基板上方的互连层。芯片封装结构包括第二芯片结构于互连层上方。芯片封装结构包括在互连层以及第二芯片结构之间连接的第一导电凸块。芯片封装结构包括导电柱于互连层上方。芯片封装结构包括于互连层上方且围绕第二芯片结构、第一导电凸块以及导电柱的模制层。芯片封装结构包括于导电柱的第一表面上方的第二导电凸块。第一表面背向第一芯片结构。

公开(公告)号：CN106997854B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201611181544.8

申请日：2016-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  刘献文 ,  林柏尧 ,  黄震麟 ,  吕学德 ,  郑心圃

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种实施例封装件包括第一封装件；接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯，并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115440700A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210792590.0

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈开亨 ,  曹佩华 ,  吕学德 ,  王荣德 ,  王建竣

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一基板、一第一钝化层、一金属层、一第二钝化层以及一聚合物层。第一钝化层形成在基板之上。金属层共形地形成在第一钝化层上。第二钝化层共形地形成在第一钝化层及金属层上。一阶梯结构形成在第二钝化层的顶表面上，且包括至少一较低部分，低于阶梯结构的其他部分。聚合物层形成在第二钝化层之上。聚合物层的一部分延伸到阶梯结构的较低部分中以与阶梯结构卡合。

公开(公告)号：CN115332192A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210671377.4

申请日：2022-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄贺昌 ,  李福仁 ,  曹佩华 ,  吕学德

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置封装及其形成方法。半导体装置封装包括一封装基板，具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面。数个集成装置接合到封装基板的第一表面。一第一底部填充元件设置于第一表面之上并围绕集成装置。一第一模制层设置于第一表面之上并围绕集成装置和第一底部填充元件。一半导体晶粒接合到封装基板的第二表面。一第二底部填充元件设置于第二表面之上并围绕半导体晶粒。一第二模制层设置于第二表面之上并围绕半导体晶粒和第二底部填充元件。数个导电凸块设置于第二表面之上且邻近第二模制层。

公开(公告)号：CN114628337A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110436584.7

申请日：2021-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  游辉昌 ,  吕学德 ,  郑心圃

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/057 ,  H01L23/367 ,  H01L21/52 ,  H05K1/18

Abstract: 一种半导体器件包括电路衬底、第一半导体管芯、热界面材料、封装盖。第一半导体管芯设置在电路衬底上且电连接到电路衬底。热界面材料在第一半导体管芯的相对于电路衬底而言的相对的侧处设置在第一半导体管芯上。封装盖在第一半导体管芯之上延伸且结合到电路衬底。封装盖包括顶部、基脚、岛状物。顶部沿着第一方向及与第一方向垂直的第二方向延伸。基脚设置在顶部的外围边缘处且沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向从顶部朝电路衬底突出。岛状物从顶部朝电路衬底突出且接触第一半导体管芯上的热界面材料。岛状物沿着第二方向与基脚断开。

公开(公告)号：CN107026131A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611087941.9

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  吕学德 ,  郑心圃 ,  黄志恭 ,  叶宗铭

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/315 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/367 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例公开了一种器件，包括衬底及所述衬底上方的管芯。模塑料环绕所述管芯并且包括沿着所述模塑料的周围区域形成的结构界面。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。