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公开(公告)号：CN100433283C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610066572.5
申请日：2006-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的的反射光线。
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公开(公告)号：CN110875206B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910782807.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 本公开涉及封装结构形成方法。一种封装结构包括形成在基板上的第一再分布结构，并且第一再分布结构包括第一导电线、第二导电线以及在第一导电线与第二导电线之间的第一重叠导电线。第一导电线具有第一宽度，与第一导电线平行的第二导电线具有第二宽度，并且第一重叠导电线具有大于第一宽度和第二宽度的第三宽度。封装结构包括形成在第一再分布结构上方的第一封装单元，第一封装单元包括第一半导体裸片和第一裸片堆叠，并且第一半导体裸片具有与第一裸片堆叠不同的功能。
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公开(公告)号：CN113808961B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202110742657.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 一种封装结构及其形成方法，包括形成导电结构于载体基板之中；形成重分布结构于载体基板之上，重分布结构具有含聚合物层及导电部件；接合芯片结构于重分布结构之上；形成保护层于重分布结构之上以包围芯片结构；以及形成导电连接器于载体基板的表面上，载体基板位于重分布结构及导电连接器之间。
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公开(公告)号：CN116525472A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310296869.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种形成重分布结构的方法。形成重分布结构包括在一第一晶种层的一部分上形成一第一导电材料，在第一晶种层以及第一导电材料的上方形成一遮罩，其中遮罩中的一开口至少部分暴露第一导电材料，在开口中形成一第一导电导孔，利用第一导电材料作为蚀刻遮罩蚀刻第一晶种层的部分，在第一导电导孔、第一导电材料以及第一晶种层的剩余部分的上方沉积一第一绝缘层，并蚀刻第一绝缘层，使得第一导电导孔的一部分突出于第一绝缘层的一顶表面之上，并利用多个第一电连接器将一第一晶粒附接至重分布结构。
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公开(公告)号：CN113594045A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110259187.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层，形成第一再分布线，第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线，形成覆盖第一再分布线的第二介电层，以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘，以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875206A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910782807.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 本公开涉及封装结构形成方法。一种封装结构包括形成在基板上的第一再分布结构，并且第一再分布结构包括第一导电线、第二导电线以及在第一导电线与第二导电线之间的第一重叠导电线。第一导电线具有第一宽度，与第一导电线平行的第二导电线具有第二宽度，并且第一重叠导电线具有大于第一宽度和第二宽度的第三宽度。封装结构包括形成在第一再分布结构上方的第一封装单元，第一封装单元包括第一半导体裸片和第一裸片堆叠，并且第一半导体裸片具有与第一裸片堆叠不同的功能。
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公开(公告)号：CN113808961A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110742657.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L25/16
Abstract: 一种封装结构及其形成方法，包括形成导电结构于载体基板之中；形成重分布结构于载体基板之上，重分布结构具有含聚合物层及导电部件；接合芯片结构于重分布结构之上；形成保护层于重分布结构之上以包围芯片结构；以及形成导电连接器于载体基板的表面上，载体基板位于重分布结构及导电连接器之间。
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公开(公告)号：CN113594046A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110284525.2
申请日：2021-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层；形成包括延伸至第一介电层中的第一通孔的第一再分布线，以及位于第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖第一再分布线的第二介电层；以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括在第二介电层中形成第二通孔，并且在第二通孔上方形成接触第二通孔的导电焊盘；以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且导电焊盘的第一中心从导电凸块的第二中心偏离。第二通孔从导电凸块的第二中心偏离更远。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109755203A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810044369.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种封装结构，所述封装结构包括半导体管芯、重布线层及多个导电元件。重布线层中的接头或半导体管芯上的接头中的至少一个接头与导电元件连接以对所述重布线层、所述半导体管芯及所述导电元件进行电连接。
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公开(公告)号：CN100375249C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510125252.8
申请日：2005-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/312 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种填充开口、介层洞开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏-密介层洞图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽工艺最佳化且减化工艺步骤。
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