公开(公告)号：CN102310982A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010221414.9

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智能 ,  徐岳圣 ,  林嘉祺 ,  萧博戎 ,  唐炳顺 ,  朱良堃 ,  张家铭

IPC: B65G7/02 ,  B65G49/05

Abstract: 一种输送装置，包括一本体、至少一滚轮、至少一承载架以及至少一微减震单元。本体包括一支撑结构以及一承载结构，该承载结构连接该支撑结构。滚轮连接于该本体。承载架由该承载结构所承载。微减震单元设于该承载架与该承载结构之间。应用本发明的输送装置，由于可通过微减震单元有效吸收微震动，因此可避免晶片受到碰撞而损坏，提升产品良率。

公开(公告)号：CN100375249C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510125252.8

申请日：2005-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  林嘉祥 ,  林嘉祺 ,  林宗宪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种填充开口、介层洞开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏-密介层洞图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽工艺最佳化且减化工艺步骤。

公开(公告)号：CN1790627A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510125252.8

申请日：2005-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  林嘉祥 ,  林嘉祺 ,  林宗宪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种填充开口、介层开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏－密介层图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽制程最佳化且减化制程步骤。