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公开(公告)号：CN115249683A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210578750.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/16
Abstract: 一种封装结构，包括第一导电垫层，位于绝缘层之中；第一凸块下冶金结构，位于绝缘层之下，在平面图中，第一凸块下冶金结构的第一区域受限于第一导电垫层的第二区域之中；以及第一导电导孔，位于绝缘层之中，且垂直连接至第一导电垫层及第一凸块下冶金结构。
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公开(公告)号：CN115732424A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210071795.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L25/07
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。
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公开(公告)号：CN114220775A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111208945.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法。半导体装置封装包括基板、第一封装部件、第二封装部件、以及至少一个虚设晶粒。第一封装部件以及第二封装部件设置于基板之上，且结合至基板。第一封装部件以及第二封装部件为提供不同功能的不同类型的电子部件。虚设晶粒设置于基板之上，且附接至基板。虚设晶粒位在第一封装部件以及第二封装部件之间，且与基板电性隔绝。
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公开(公告)号：CN113594045A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110259187.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层，形成第一再分布线，第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线，形成覆盖第一再分布线的第二介电层，以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘，以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113675161B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110665633.4
申请日：2021-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括集成电路管芯和接合到集成电路管芯的再分布结构。再分布结构包括第一绝缘层，插入在第一绝缘层和集成电路管芯之间的第二绝缘层以及在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一金属化图案。第一金属化图案包括第一导电线和耦接到第一导电线的第一导电通孔。第一导电线在第二绝缘层中。第一导电通孔在第一绝缘层中。第一导电线包括耦接到第一导电通孔的第一导电焊盘、第二导电焊盘以及将第一导电焊盘连接到第二导电焊盘的弯曲部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115732461A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210921324.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/13
Abstract: 提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第一线路层位于第一介电结构中。方法包括接合芯片封装至第一线路结构。芯片封装具有中介基板与芯片结构位于中介基板上，且中介基板的第一角落与芯片结构的第二角落在芯片封装与缓冲结构的上视图中均与缓冲结构重叠。
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公开(公告)号：CN115565891A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210937096.9
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供封装结构与其形成方法。方法包括形成凹陷于电路基板中，且凹陷具有第一侧壁与第二侧壁。第二侧壁在第一侧壁与电路基板的最底部表面之间，且第二侧壁比第一侧壁陡峭。方法亦包括形成晶粒封装，且晶粒封装具有半导体晶粒。方法更包括经由多个接合结构接合晶粒封装至电路基板，使半导体晶粒的一部分进入电路基板的凹陷。此外，方法包括形成底填材料以围绕接合结构并填入凹陷。
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公开(公告)号：CN113594046A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110284525.2
申请日：2021-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层；形成包括延伸至第一介电层中的第一通孔的第一再分布线，以及位于第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖第一再分布线的第二介电层；以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括在第二介电层中形成第二通孔，并且在第二通孔上方形成接触第二通孔的导电焊盘；以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且导电焊盘的第一中心从导电凸块的第二中心偏离。第二通孔从导电凸块的第二中心偏离更远。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113113392B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110023444.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。
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公开(公告)号：CN113113381B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110034896.5
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 实施例是封装结构，该封装结构包括第一集成电路管芯；接合至第一集成电路管芯的再分布结构，该再分布结构包括在第一介电层中的第一金属化图案，该第一金属化图案包括多个第一导电部件，第一导电部件中的每一个包括在第一介电层中的第一导电通孔和在第一介电层的上方并电耦接至相应的第一导电通孔的第一导线，第一导线中的每一个在平面图中包括曲线；在第一介电层和第一金属化图案的上方的第二介电层；以及在第二介电层中的第二金属化图案，第二金属化图案包括在第二介电层中的多个第二导电通孔，第二导电通孔中的每一个在相应的第一导线的上方并电耦接至相应的第一导线。本申请的实施例还涉及形成封装结构的方法。
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