公开(公告)号：CN120015631A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510119114.6

申请日：2025-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨聪伟 ,  汪金华 ,  李宗彦 ,  郑心圃 ,  言玮

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 方法包括：将第一封装组件附接至衬底，其中，第一封装组件包括：中介层；管芯，位于中介层上；以及模制材料，围绕管芯；以及将加固结构附接至管芯的顶面，其中，模制材料没有加固结构。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115732424A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210071795.X

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨哲嘉 ,  叶书伸 ,  廖莉菱 ,  汪金华 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07

Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。

公开(公告)号：CN115700912A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210713100.3

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  汪金华 ,  游明志 ,  许佳桂 ,  廖莉菱 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性绝缘。方法包括经由第一导电凸块结构接合第一芯片结构至重布线结构。第一芯片结构与屏蔽凸块结构电性绝缘，且第一芯片结构延伸越过屏蔽凸块结构的第一侧壁。

公开(公告)号：CN115579347A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211007837.X

申请日：2022-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游明志 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/18 ,  H01L25/18

Abstract: 一种扇出封装，包括一重分布结构、多个半导体裸片以及一底部填充材料部分。半导体裸片包括通过焊料材料部分的各自一组而附接至重分布侧结合结构的各自一子集的裸片侧结合结构的各自一组。底部填充材料部分横向地环绕半导体裸片的重分布侧结合结构及半导体裸片的裸片侧结合结构。重分布侧结合结构的一子集不结合至半导体裸片的任何裸片侧结合结构，且被底部填充材料部分横向地环绕，且用以在底部填充材料部分的形成期间提供底部填充材料的均匀分布。

公开(公告)号：CN115565963A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210960826.7

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种芯片封装体结构及其形成方法。芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区上并彼此分开，以及一第三间隙填充层位于间隙区上及第一与第二间隙填充层之间。第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。

公开(公告)号：CN115249682A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210577859.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  汪金华 ,  游明志 ,  廖莉菱 ,  李宗彦 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提出一种提供封装结构及其形成方法。封装结构包含重布线结构以及位于重布线结构之上的第一半导体裸片。封装结构还包含横向围绕第一半导体裸片的墙结构，墙结构包含彼此隔开的多个区段。封装结构还包含介于墙结构与第一半导体裸片之间的底部填充材料。封装结构还包含包覆底部填充材料的模制化合物。

公开(公告)号：CN115101488A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210524258.6

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括一载体基板、一中介层基板、一半导体装置、一盖件以及一热界面材料。中介层基板设置在载体基板上。半导体装置设置在中介层基板上。盖件设置在载体基板上，以覆盖半导体装置。热界面材料设置在盖件与半导体装置之间。一第一凹部形成在盖件的面向半导体装置的一下表面上，且在俯视视角中，第一凹部与半导体装置重叠。

公开(公告)号：CN115101482A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210524298.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  汪金华 ,  林昱圣 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。

公开(公告)号：CN114975311A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210223104.3

申请日：2022-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  林柏尧 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。所述半导体晶粒封装包括封装基板以及设置于其上的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。环结构附接到封装基板并围绕半导体晶粒。盖结构附接到环结构并设置于半导体晶粒之上，且具有暴露第二半导体晶粒的开口。散热片设置于盖结构之上并具有延伸到盖结构的开口中的部分。第一热界面材料层介于盖结构与第一半导体晶粒之间。第二热界面材料层介于散热片的延伸部分与第二半导体晶粒之间。第一热界面材料层热导率高于该第二热界面材料层的热导率。

公开(公告)号：CN110828445A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910363164.3

申请日：2019-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  林柏尧 ,  许峯诚 ,  郑心圃 ,  林文益 ,  叶书伸

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括封装基板、第一芯片、第二芯片以及散热器。第一芯片及第二芯片安装于封装基板上，并且第一芯片的厚度与第二芯片的厚度不同。散热器贴附在第一芯片的顶部及第二芯片的顶部。其中，第一芯片上方的散热器的第一部分与第二芯片上方的散热器的第二部分具有相同的厚度。