公开(公告)号：CN100463203C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610057897.7

申请日：2006-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游秀美 ,  黄志恭 ,  游建桐 ,  陈永昌

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底、至少一孔穴墙、一粘着层以及一封装层。该基底具有至少一晶粒。该孔穴墙与该基底相接触，且设置于该晶粒的四周。该粘着层设于该孔穴墙上。该封装层设于该基底上，且该封装层与该粘着层相接触。本发明所述的形成一半导体结构的方法，可以提高良率并降低成本。

公开(公告)号：CN1838420A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610057897.7

申请日：2006-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游秀美 ,  黄志恭 ,  游建桐 ,  陈永昌

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的提供一种半导体装置以及其形成的方法。该半导体装置包含有一基底、至少一孔穴墙、一粘着层以及一封装层。该基底具有至少一晶粒。该孔穴墙与该基底相接触，且设置于该晶粒的四周。该粘着层设于该孔穴墙上。该封装层设于该基底上，且该封装层与该粘着层相接触。本发明所述的半导体装置以及其形成的方法，可以提高良率并降低成本。

公开(公告)号：CN116525472A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310296869.4

申请日：2023-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游建桐 ,  林嘉祥 ,  林吉甫 ,  郑心圃

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种形成重分布结构的方法。形成重分布结构包括在一第一晶种层的一部分上形成一第一导电材料，在第一晶种层以及第一导电材料的上方形成一遮罩，其中遮罩中的一开口至少部分暴露第一导电材料，在开口中形成一第一导电导孔，利用第一导电材料作为蚀刻遮罩蚀刻第一晶种层的部分，在第一导电导孔、第一导电材料以及第一晶种层的剩余部分的上方沉积一第一绝缘层，并蚀刻第一绝缘层，使得第一导电导孔的一部分突出于第一绝缘层的一顶表面之上，并利用多个第一电连接器将一第一晶粒附接至重分布结构。