-
公开(公告)号：CN115732424A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210071795.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L25/07
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。
-
公开(公告)号：CN115579347A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211007837.X
申请日：2022-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/18 , H01L25/18
Abstract: 一种扇出封装，包括一重分布结构、多个半导体裸片以及一底部填充材料部分。半导体裸片包括通过焊料材料部分的各自一组而附接至重分布侧结合结构的各自一子集的裸片侧结合结构的各自一组。底部填充材料部分横向地环绕半导体裸片的重分布侧结合结构及半导体裸片的裸片侧结合结构。重分布侧结合结构的一子集不结合至半导体裸片的任何裸片侧结合结构，且被底部填充材料部分横向地环绕，且用以在底部填充材料部分的形成期间提供底部填充材料的均匀分布。
-
公开(公告)号：CN115101482A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210524298.0
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。
-
公开(公告)号：CN114975352A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210272576.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体封装结构及其封装方法，包括：第一底电连接器；中介层，形成于第一底电连接器之上，中介层包括：第一底导孔结构，与第一底电连接器接触；第一重分布层结构的第一走线，形成于第一底导孔结构之上；第一导孔结构，形成于第一重分布层结构的第一走线之上；第二重分布层结构的第一走线，形成于第一导孔结构之上；以及第二导孔结构，形成于第二重分布层结构的第一走线之上，第一底导孔结构、第一导孔结构、及第二导孔结构在上视图中彼此分开。
-
公开(公告)号：CN114975311A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210223104.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/16
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。所述半导体晶粒封装包括封装基板以及设置于其上的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。环结构附接到封装基板并围绕半导体晶粒。盖结构附接到环结构并设置于半导体晶粒之上，且具有暴露第二半导体晶粒的开口。散热片设置于盖结构之上并具有延伸到盖结构的开口中的部分。第一热界面材料层介于盖结构与第一半导体晶粒之间。第二热界面材料层介于散热片的延伸部分与第二半导体晶粒之间。第一热界面材料层热导率高于该第二热界面材料层的热导率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975301A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210206204.5
申请日：2022-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L23/18 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括封装衬底和安装在封装衬底的表面上的半导体器件。第一环设置在封装衬底的表面上方并围绕半导体器件。第二环设置在第一环的顶面上方。而且，第一环的顶面和第二环的底面上分别形成突出部分和匹配的凹进部分。突出部分延伸至凹进部分中并与凹进部分啮合，以将第一环与第二环连接。粘合层设置在封装衬底的表面与第一环的底面之间，用于将第一环与上面的第二环附接至封装衬底。
-
公开(公告)号：CN114220775A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111208945.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法。半导体装置封装包括基板、第一封装部件、第二封装部件、以及至少一个虚设晶粒。第一封装部件以及第二封装部件设置于基板之上，且结合至基板。第一封装部件以及第二封装部件为提供不同功能的不同类型的电子部件。虚设晶粒设置于基板之上，且附接至基板。虚设晶粒位在第一封装部件以及第二封装部件之间，且与基板电性隔绝。
-
公开(公告)号：CN113594045A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110259187.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层，形成第一再分布线，第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线，形成覆盖第一再分布线的第二介电层，以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘，以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN110828445A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910363164.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括封装基板、第一芯片、第二芯片以及散热器。第一芯片及第二芯片安装于封装基板上，并且第一芯片的厚度与第二芯片的厚度不同。散热器贴附在第一芯片的顶部及第二芯片的顶部。其中，第一芯片上方的散热器的第一部分与第二芯片上方的散热器的第二部分具有相同的厚度。
-
公开(公告)号：CN113113392B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110023444.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.033 seconds)
