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公开(公告)号：CN116564926A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310292776.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供一种半导体结构、基板封装及形成半导体结构的方法，包括：包括至少一半导体晶粒的一封装、一重分布结构、一基板封装、多个焊料材料部分、以及一第二底部填充材料部分。重分布结构包括多个结合垫及位于至少一半导体晶粒与重分布结构之间的第一底部填充材料部分。基板封装包括多个芯片侧结合垫以及至少一基板沟槽，其中在剖面视角中，至少一基板沟槽在基板封装的一顶部表面下方垂直地延伸。焊料材料部分结合至芯片侧结合垫及结合垫。第二底部填充材料部分横向地环绕焊料材料部分，且分配在至少一基板沟槽内。
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公开(公告)号：CN115700912A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210713100.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性绝缘。方法包括经由第一导电凸块结构接合第一芯片结构至重布线结构。第一芯片结构与屏蔽凸块结构电性绝缘，且第一芯片结构延伸越过屏蔽凸块结构的第一侧壁。
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公开(公告)号：CN114975352A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210272576.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体封装结构及其封装方法，包括：第一底电连接器；中介层，形成于第一底电连接器之上，中介层包括：第一底导孔结构，与第一底电连接器接触；第一重分布层结构的第一走线，形成于第一底导孔结构之上；第一导孔结构，形成于第一重分布层结构的第一走线之上；第二重分布层结构的第一走线，形成于第一导孔结构之上；以及第二导孔结构，形成于第二重分布层结构的第一走线之上，第一底导孔结构、第一导孔结构、及第二导孔结构在上视图中彼此分开。
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公开(公告)号：CN114628353A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110435374.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/24 , H01L21/54 , H01L21/48 , H01L25/18
Abstract: 提供一种半导体封装及半导体封装的制造方法。半导体封装至少具有半导体裸芯片及重布线层，重布线层设置在半导体裸芯片的有效表面上且与半导体裸芯片电连接。重布线层具有排列在半导体裸芯片的隅角下方的位置处的无配线区。半导体裸芯片与重布线层之间设置有底部填充胶。无配线区位于底部填充胶下方且接触底部填充胶。无配线区从半导体裸芯片水平地延伸到底部填充胶。
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公开(公告)号：CN114078754A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110586051.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 一种方法包括形成封装组件，包括：形成介电层；图案化介电层以形成开口；以及形成包括位于该开口中的通孔、导电焊盘和弯曲迹线的再分布线。通孔从导电焊盘竖直偏移。导电焊盘和弯曲迹线位于介电层上方。弯曲迹线将导电焊盘连接到通孔，并且弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的多个区段。导电凸块形成在导电焊盘上。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594045A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110259187.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成第一介电层，形成第一再分布线，第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线，形成覆盖第一再分布线的第二介电层，以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘，以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113675161B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110665633.4
申请日：2021-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括集成电路管芯和接合到集成电路管芯的再分布结构。再分布结构包括第一绝缘层，插入在第一绝缘层和集成电路管芯之间的第二绝缘层以及在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一金属化图案。第一金属化图案包括第一导电线和耦接到第一导电线的第一导电通孔。第一导电线在第二绝缘层中。第一导电通孔在第一绝缘层中。第一导电线包括耦接到第一导电通孔的第一导电焊盘、第二导电焊盘以及将第一导电焊盘连接到第二导电焊盘的弯曲部分。
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公开(公告)号：CN116864456A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310617618.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。此外，多个非主动晶粒可以以相邻方式定位于两个或更多个主动集成电路晶粒之间。在多晶粒封装的特定区域中使用多个非主动晶粒增加多晶粒封装中的间隙数量。多晶粒封装中增加的间隙数量提供多晶粒封装中用于应力和应变吸收的区域的增加量，并使得多晶粒封装中的应力和应变分布更均匀。
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公开(公告)号：CN110970312B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110970312A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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