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公开(公告)号：CN109427702B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810461232.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，器件包括：位于中介层上方并且电连接至中介层的管芯堆叠件，管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，最顶集成电路管芯包括：具有前侧和与前侧相对的背侧的衬底，衬底的前侧包括有源表面；从衬底的背侧至少部分地延伸至衬底内的伪衬底通孔(TSV)，伪TSV与有源表面电隔离；位于最顶集成电路管芯上方的热界面材料；以及位于热界面材料中的伪连接件，热界面材料围绕伪连接件，伪连接件与最顶集成电路管芯的有源表面电隔离。本发明的实施例还涉及散热器件和方法。
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公开(公告)号：CN110854100A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910343464.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
Abstract: 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。
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公开(公告)号：CN109427702A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810461232.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，器件包括：位于中介层上方并且电连接至中介层的管芯堆叠件，管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，最顶集成电路管芯包括：具有前侧和与前侧相对的背侧的衬底，衬底的前侧包括有源表面；从衬底的背侧至少部分地延伸至衬底内的伪衬底通孔(TSV)，伪TSV与有源表面电隔离；位于最顶集成电路管芯上方的热界面材料；以及位于热界面材料中的伪连接件，热界面材料围绕伪连接件，伪连接件与最顶集成电路管芯的有源表面电隔离。本发明的实施例还涉及散热器件和方法。
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公开(公告)号：CN110854100B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910343464.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
Abstract: 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。
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公开(公告)号：CN110620095A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910332638.8
申请日：2019-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/427 , G06F1/20
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括蒸气室盖体，蒸气室盖体用于使用高性能处理器(例如，图形处理单元)的高功率应用，例如衬底上晶片上芯片应用。蒸气室盖体提供热解决方案，从而增强具有多个芯片的封装的热性能。蒸气室盖体会改善高性能芯片中(例如三维集成电路封装级)的散热。
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