公开(公告)号：CN110854100A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910343464.5

申请日：2019-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐庆钟 ,  张天慈 ,  张家龙 ,  杨宗育 ,  林哲永 ,  谢政杰 ,  李虹錤

IPC: H01L23/522 ,  H01F17/00 ,  H01F27/28

Abstract: 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。

公开(公告)号：CN110854100B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201910343464.5

申请日：2019-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐庆钟 ,  张天慈 ,  张家龙 ,  杨宗育 ,  林哲永 ,  谢政杰 ,  李虹錤

IPC: H01L23/522 ,  H01F17/00 ,  H01F27/28

Abstract: 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。