公开(公告)号：CN102456665B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110312112.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 华伟君 ,  张家龙 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  郑价言 ,  曾华洲

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/43 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。

公开(公告)号：CN113451510A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110230854.9

申请日：2021-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏勋 ,  许哲志 ,  黄文助 ,  苏劲宇 ,  陈彦羽 ,  华伟君 ,  洪文瀚

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、位于该衬底上的第一导电层、第一导电通孔，以及位于该第一导电通孔与该衬底之间的另外的导电层和导电通孔。该第一导电通孔位于衬底与第一导电层之间，并且电连接到第一导电层。该第一导电通孔延伸穿过至少两个介电层，并且具有大于约8千埃的厚度。具有高品质因子的电感器形成在第一导电层中，并且还包括第一导电通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102456665A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110312112.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 华伟君 ,  张家龙 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  郑价言 ,  曾华洲

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/43 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。