公开(公告)号：CN1217379C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层，其中该蚀刻液蚀刻该绝缘层的速率较该遮蔽层快。

公开(公告)号：CN1476045A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层。