公开(公告)号：CN106935551B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

公开(公告)号：CN106935551A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0924

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。