公开(公告)号：CN113675163B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110748104.0

申请日：2021-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了具有改进的凸块下金属化布局的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括IC芯片；互连结构，耦合到IC管芯并包括金属化图案，金属化图案包括延伸穿过电介质层的通孔部分；第二电介质层，与IC管芯相对的位于电介质层上方；以及第二金属化图案，耦接至金属化图案，并包括位于电介质层中的线部分和延伸穿过第二电介质层的第二通孔部分；以及UBM，位于第二金属化图案和第二电介质层上方，UBM耦合到第二金属化图案，通孔部分的中心线和第二通孔部分的第二中心线与UBM的第三中心线未对准，中心线和第二中心线在第三中心线的相对两侧。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN115602657A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210670067.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 汪金华 ,  许佳桂 ,  叶书伸 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括导线基板。芯片封装结构包括位于导线基板上的中介基板。中介基板包括重分布结构、介电层、导电导孔，以及多个第一虚设导孔，介电层位于重分布结构上，导电导孔及这些第一虚设导孔穿过介电层，第一虚设导孔环绕导电导孔，这些第一虚设导孔与导线基板电性绝缘。芯片封装结构包括中介基板上的芯片结构。芯片结构与导电导孔电性连接，并且芯片结构与这些第一虚设导孔电性绝缘。

公开(公告)号：CN115064506A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210486804.1

申请日：2022-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/762 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括封装基板、半导体装置、底部填充元件以及凹槽。半导体装置通过多个电连接件接合到封装基板的表面。底部填充元件形成在半导体装置与封装基板的表面之间，以围绕并保护所述电连接件。底部填充元件包括横向延伸超出半导体装置的外围并沿着半导体装置的外围形成的带状部。凹槽形成在带状部中并与半导体装置的外围间隔开。

公开(公告)号：CN113948480A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110763148.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈建声 ,  林柏尧 ,  赖柏辰 ,  叶书伸

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 方法包括将第一封装组件接合在第二封装组件上方。第二封装组件包括多个介电层和多个介电层中的多个再分布线。方法还包括：在第二封装组件上分配应力吸收器；固化应力吸收器；以及在第二封装组件和应力吸收器上形成密封剂。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113113392B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110023444.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃 ,  赖柏辰 ,  李光君 ,  杨哲嘉 ,  汪金华 ,  林义航

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。

公开(公告)号：CN113823618B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202110799906.4

申请日：2021-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  汪金华 ,  游明志 ,  许佳桂 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开涉及芯片封装结构、半导体结构及其形成方法。该芯片封装结构包括有机中介载板，包括内埋重分布互连结构的聚合物基质层、封装侧凸块结构、以及通过相应的凸块连接通孔结构连接到重分布互连结构中的远端子集的晶粒侧凸块结构。至少一金属屏蔽结构可横向地围绕晶粒侧凸块结构中的一相应者。屏蔽支撑通孔结构可横向地围绕凸块连接通孔结构中的一相应者。每个金属屏蔽结构和屏蔽支撑通孔结构可用于减小在随后将半导体晶粒附接到晶粒侧凸块结构的期间所施加到重分布互连结构的机械应力。

公开(公告)号：CN115565962A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210948348.8

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  汪金华 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体装置封装体及其形成方法。半导体装置封装体包括一基底、一半导体装置、一环型结构、一罩盖结构以及一粘着部件。半导体装置设置于基底上。环型结构设置于基底上，并环绕半导体装置。罩盖结构设置于环型结构上，并延伸跨越半导体装置。粘着部件设置于环型结构与半导体装置之间的间隙内，并黏合罩盖结构及基底上。

公开(公告)号：CN115565957A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943458.5

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  陈见宏 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开提出一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括贴附到电路基板的翘曲控制构件。翘曲控制构件具有延伸到电路基板中的凸出部分。翘曲控制构件的高度大于芯片封装的高度。

公开(公告)号：CN115241137A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210587461.8

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  汪金华 ,  游明志 ,  杨哲嘉 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种封装结构，包含重布结构、于重布结构上方的半导体裸片以及于重布结构下方的多个接合元件。半导体裸片具有彼此连接的第一侧壁以及第二侧壁。多个接合元件包含第一列接合元件以及第二列接合元件。在俯视图中，第二列接合元件配置于第一列接合元件与第二侧壁的延伸线之间。第二列接合元件与第一侧壁之间的最小距离大于第一列接合元件与第一侧壁之间的最小距离。

公开(公告)号：CN114284250A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110285570.X

申请日：2021-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游明志 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明实施例的一种半导体封装包括重布线结构、第一管芯、第二管芯以及缓冲层。第二管芯设置在第一管芯与重布线结构之间，并且第二管芯电连接到第一管芯且接合到重布线结构。缓冲层设置在第二管芯的第一侧壁上，其中缓冲层的第二侧壁与第一管芯的第三侧壁实质上齐平。