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公开(公告)号：CN114121871A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110805105.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。在包括第一晶粒侧凸块结构的第一区域与包括第二晶粒侧凸块结构的第二区域之间存在间隙区域。应力减轻线路结构位于在平面图中在间隙区域的范围内的介电材料层之上或之内。每个应力减轻线路结构包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到重分布互连结构。应力减轻线路结构可以包括与位于相同水平高度的重分布互连结构或凸块结构的金属材料相同或不同的材料。
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公开(公告)号：CN115565961A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210944774.4
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种封装结构。封装结构包括位于基板上方的重分布结构、位于重分布结构上方并电耦接到基板的半导体晶粒、以及位于基板上方并密封重分布结构和半导体晶粒的底部填充材料。底部填充材料包括与半导体晶粒的角落重叠并延伸到基板中的延伸部分。
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公开(公告)号：CN115565956A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210921593.X
申请日：2022-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 提供了一种封装结构及其形成方法。方法包括在一基板之上设置一芯片结构。芯片结构具有一倾斜侧壁，倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，垂直方向为垂直于芯片结构主表面的方向，且锐角介于约12度至约45度之间。方法更包括形成一保护层以围绕芯片结构。
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公开(公告)号：CN115513149A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210061839.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 半导体封装包括重布线结构、第一导电柱和第二导电柱，以及半导体器件。重布线结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电柱和第二导电柱设置在重布线结构的第一表面上并与重布线结构电连接，其中第一导电柱的最大横向尺寸大于第二导电柱的最大横向尺寸，第一导电柱的顶部表面的形貌变化大于第二导电柱的顶部表面的形貌变化。半导体器件设置在重布线结构的第一表面之上，其中半导体器件包括第三导电柱和第四导电柱，第三导电柱通过第一接合结构结合到第一导电柱，并且第四导电柱通过第二接合结构结合到第二导电柱。
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公开(公告)号：CN116825758A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310443409.X
申请日：2023-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体封装件及其制造方法。可以对应于高性能计算封装的半导体封装件包括中介层、衬底以及中介层和衬底之间的一种集成电路器件。可以对应于集成无源器件的集成电路器件在中介层的空腔内附接到中介层。将集成电路器件附接到中介层的空腔内会在集成电路器件和衬底之间产生间隙。这样，在半导体封装件的弯曲和/或变形期间，集成电路器件接触衬底的可能性降低。通过减少这种接触的可能性，可以避免对集成电路器件和/或衬底的损坏，以提高半导体封装件的可靠性和/或成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564926A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310292776.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供一种半导体结构、基板封装及形成半导体结构的方法，包括：包括至少一半导体晶粒的一封装、一重分布结构、一基板封装、多个焊料材料部分、以及一第二底部填充材料部分。重分布结构包括多个结合垫及位于至少一半导体晶粒与重分布结构之间的第一底部填充材料部分。基板封装包括多个芯片侧结合垫以及至少一基板沟槽，其中在剖面视角中，至少一基板沟槽在基板封装的一顶部表面下方垂直地延伸。焊料材料部分结合至芯片侧结合垫及结合垫。第二底部填充材料部分横向地环绕焊料材料部分，且分配在至少一基板沟槽内。
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公开(公告)号：CN115732424A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210071795.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L25/07
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。
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公开(公告)号：CN115700912A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210713100.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性绝缘。方法包括经由第一导电凸块结构接合第一芯片结构至重布线结构。第一芯片结构与屏蔽凸块结构电性绝缘，且第一芯片结构延伸越过屏蔽凸块结构的第一侧壁。
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公开(公告)号：CN115249682A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210577859.3
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/16 , H01L21/56
Abstract: 本公开提出一种提供封装结构及其形成方法。封装结构包含重布线结构以及位于重布线结构之上的第一半导体裸片。封装结构还包含横向围绕第一半导体裸片的墙结构，墙结构包含彼此隔开的多个区段。封装结构还包含介于墙结构与第一半导体裸片之间的底部填充材料。封装结构还包含包覆底部填充材料的模制化合物。
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公开(公告)号：CN220439607U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202321370289.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体装置，其包含重布层、保护层、凸起壁、导电凸块及金属柱。所述重布层具有暴露内部金属层，所述保护层放置于所述重布层上方，所述保护层包括第一材料。所述凸起壁放置于所述保护层上方及所述暴露内部金属层周围，所述凸起壁包括不同于所述第一材料的第二材料。所述导电凸块至少部分放置于所述重布层上方的所述凸起壁内且与所述暴露内部金属层接触。所述金属柱放置于所述导电凸块上以形成提供与所述暴露内部金属层的电连通的金属接点为有效避免冷焊问题，圆形或矩形聚酰亚胺制成的所述凸起壁首先放置于所述导电凸块下方以结构支撑所述导电凸块且足够增大导电凸块高度以改进所述半导体装置的电连接及长期可靠性。
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