公开(公告)号：CN116825758A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310443409.X

申请日：2023-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  廖莉菱 ,  林昱圣 ,  郑心圃

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体封装件及其制造方法。可以对应于高性能计算封装的半导体封装件包括中介层、衬底以及中介层和衬底之间的一种集成电路器件。可以对应于集成无源器件的集成电路器件在中介层的空腔内附接到中介层。将集成电路器件附接到中介层的空腔内会在集成电路器件和衬底之间产生间隙。这样，在半导体封装件的弯曲和/或变形期间，集成电路器件接触衬底的可能性降低。通过减少这种接触的可能性，可以避免对集成电路器件和/或衬底的损坏，以提高半导体封装件的可靠性和/或成品率。

公开(公告)号：CN115565959A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943769.1

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  林昱圣 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构而接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括电路基板上方的加强结构。加强结构部分地围绕芯片封装的转角。封装结构还包括围绕接合结构的底部填充结构。底部填充结构与加强结构直接接触。

公开(公告)号：CN115101482A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210524298.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  汪金华 ,  林昱圣 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。

公开(公告)号：CN114975311A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210223104.3

申请日：2022-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  林柏尧 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。所述半导体晶粒封装包括封装基板以及设置于其上的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。环结构附接到封装基板并围绕半导体晶粒。盖结构附接到环结构并设置于半导体晶粒之上，且具有暴露第二半导体晶粒的开口。散热片设置于盖结构之上并具有延伸到盖结构的开口中的部分。第一热界面材料层介于盖结构与第一半导体晶粒之间。第二热界面材料层介于散热片的延伸部分与第二半导体晶粒之间。第一热界面材料层热导率高于该第二热界面材料层的热导率。

公开(公告)号：CN115497925A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210050349.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  林昱圣 ,  许佳桂 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/16 ,  H01L23/367

Abstract: 提供一种三维集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，三维集成电路(3DIC)封装件包括中介物、多个连接垫、多个虚设图案、多个集成电路结构以及底部填充层。连接垫布置在中介物的第一侧上且电性连接至中介物的第一侧。虚设图案设置在中介物的第一侧上且围绕多个连接垫。集成电路结构通过多个第一凸块电性连接至多个连接垫。底部填充层环绕第一凸块且覆盖虚设图案。

公开(公告)号：CN115497885A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210031679.5

申请日：2022-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  林昱圣 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：第一层级、第二层级以及第三层级。第一层级包括中介层。第二层级配置在第一层级上，且包括底部管芯。第三层级配置在第二层级上，且包括多个第一管芯与至少一第二管芯。至少一第二管芯配置在多个第一管芯之间。多个第一管芯通过多个第一连接件电连接至底部管芯以形成信号路径，多个第一管芯通过多个第二连接件电连接至中介层以形成电源路径，且多个第一连接件比多个第二连接件更靠近至少一第二管芯。

公开(公告)号：CN114725025A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111020887.7

申请日：2021-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  林柏尧 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、热界面材料、盖结构及散热结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底。所述热界面材料设置在所述半导体封装上。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述半导体封装，其中所述盖结构包括局部地覆盖所述热界面材料且与所述热界面材料物理接触的支撑部。所述散热结构设置在所述盖结构上且与所述盖结构的所述支撑部物理接触。

公开(公告)号：CN114267645A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110271380.2

申请日：2021-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶书伸 ,  汪金华 ,  林昱圣 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52

Abstract: 一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、第一环结构及第二环结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。第一环结构贴合到线路衬底且环绕半导体封装，其中第一环结构包括中心开口及从中心开口的角落延伸出的多个角落开口，半导体封装位于中心开口中，且所述多个角落开口环绕半导体封装的角落。

公开(公告)号：CN118213337A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410068270.X

申请日：2024-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  林昱圣 ,  言玮 ,  赖昱志

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/44 ,  H01L23/373

Abstract: 提供一种半导体封装体，包括封装基板、中介层模块以及封装盖，中介层模块在封装基板上，封装盖在中介层模块上，且封装盖包括均温板基部，均温板基部包括板部以及角部，角部从板部的两端以一角度延伸。提供一种冷却半导体封装体的方法，包括将半导体封装体置于浸没式冷却腔室中；将半导体封装体浸没在浸没式冷却腔室中的浸没式冷却剂中，使得封装盖的均温板基部的板部以及角部浸没在浸没式冷却剂中；以及将热从均温板基部的板部以及角部传递到浸没式冷却剂以冷却半导体封装体。

公开(公告)号：CN115565957A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943458.5

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  陈见宏 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开提出一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括贴附到电路基板的翘曲控制构件。翘曲控制构件具有延伸到电路基板中的凸出部分。翘曲控制构件的高度大于芯片封装的高度。