-
-
公开(公告)号：CN103151338B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210067433.X
申请日：2012-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L23/645 , H01L25/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开内容提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括包含电子元件的第一管芯。IC器件包括包含接地屏蔽结构的第二管芯。IC器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的层。该层将第一管芯和第二关系连接在一起。本公开内容还涉及微电子器件。微电子器件包括包含多个第一互连层的第一管芯。电感器线圈结构设置在第一互连层的子集中。微电子器件包括包含多个第二互连层的第二管芯。图案化接地屏蔽(PGS)结构设置在第二互连层的子集中。微电子器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的底部填充层。底部填充层包含一个或多个微凸块。本发明还提供了改进的集成电路接地屏蔽结构。
-
公开(公告)号：CN103166573B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210343283.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1852
Abstract: 一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶体管的漏极连接至第一晶体管的栅极以及第一谐振电路的第二端。第二晶体管的源极连接至第二电流路径和第二谐振电路的第二端。
-
公开(公告)号：CN102468269B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110208149.5
申请日：2011-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L27/0629 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带状线，所述带状线包括：接地层，在上述衬底上方延伸穿过多个介电层；信号线，在上述衬底的上方，并且位于上述接地层的一侧；第一多条金属带，在上述信号线的下面，并且位于第一金属层中，其中上述第一多条金属带彼此平行，并且彼此以间隔隔开；以及第二多条金属带，在上述信号线的下面，并且位于上述第一金属层上方的第二金属层中。上述第二多条金属带垂直重叠上述间隔。上述第一多条金属带通过上述接地层电连接于上述第二多条金属带，并且没有通孔物理接触上述第一多条金属带和上述第二多条金属带。本发明还提供了一种与CMOS工艺兼容的槽屏蔽共面带状线。
-
公开(公告)号：CN101866919A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010155583.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 中国台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基板，具有一第一导电性；一耗尽区，位于该半导体基板内；一深阱区，大体为该耗尽区所包覆。该深阱区具有相反于该第一导电性的一第二导电性，且包括直接位于该深阱区上的一第一部与直接位于该深阱区下的一第二部。一传输线直接位于该耗尽区上。本发明的优点包括了对于高频传输线的信号损失降低，特别是射频传输线。此外，本发明可与现今工艺相整合而无须额外工艺步骤或光刻掩模的使用。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN102751260B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110324367.5
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F37/00
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/004 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种器件，该器件包括衬底以及衬底上的立式电感器。立式电感器包括金属形成的多个部件，其中每个部件沿垂直于衬底的主表面的多个平面之一延伸。金属线使立式电感器的多个部件中相邻部件互连。本发明还提供了一种沿垂直平面延伸的紧凑立式电感器。
-
公开(公告)号：CN103311218A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310014631.4
申请日：2013-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L28/88 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于鱼骨形差分电容器的结构和方法。本发明提供了一种集成电路，所述集成电路包括具有由第一轴线和与第一轴线垂直的第二轴线限定的表面的衬底；以及设置在所述衬底上的电容器结构。所述电容器结构包括第一导电部件；以及对称配置在所述第一导电部件相对侧的第二导电部件和第三导电部件。第一、第二以及第三导电部件通过相应的介电材料相互隔离。本发明还公开了用于鱼骨形差分电容器的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN103187393A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210103817.2
申请日：2012-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F5/003 , H01F2027/2809 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：形成在第一衬底上第一电感器；形成在第二衬底上并且与第一电感器电感耦合作为变压器到的第二电感器；以及多个微凸块元件，被配置在第一衬底和第二衬底之间。多个微凸块元件包括：具有基本大于1的磁导率并且被配置成增强第一电感器和第二电感器之间的耦合的磁性材料。本发明还提供了一种用于具有磁性元件的变压器的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN103166573A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210343283.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1852
Abstract: 一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶体管的漏极连接至第一晶体管的栅极以及第一谐振电路的第二端。第二晶体管的源极连接至第二电流路径和第二谐振电路的第二端。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.057 seconds)
