Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"黄百韬" Page 1

1.

发明公开
图像传感器及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116435319A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310146543.3

申请日：2023-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 , 江彦廷 , 黄百韬 , 卢泽华 , 许慈轩 , 丁世汎 , 刘人诚 , 杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。

Patent Agency Ranking