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公开(公告)号：CN117238936A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310919243.4
申请日：2023-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中像素传感器跨越多个集成电路(IC)芯片。光电检测器和第一晶体管在第一IC芯片处形成像素传感器的第一部分。多个第二晶体管在第二IC芯片处形成像素传感器的第二部分。通过省略光电检测器处的STI结构，围绕像素传感器并界定像素传感器的掺杂阱可以具有比其他情况下更小的宽度。因此，掺杂阱可以消耗更少的光电检测器面积。这继而又允许增强像素传感器的按比例缩小。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN116564978A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210979151.0
申请日：2022-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及用于堆叠图像传感器器件的新型保护二极管结构。将传感器晶圆的第一侧面接合到第一逻辑晶圆的第一侧面。传感器晶圆包含像素，该像素被配置为检测通过传感器晶圆的与第一侧面相反的第二侧面进入传感器晶圆的辐射。第一逻辑晶圆包含被配置为操作像素的电路。传感器晶圆或第一逻辑晶圆包含保护二极管。从第一逻辑晶圆的与第一侧面相反的第二侧面将第一逻辑晶圆变薄。在第一逻辑晶圆中形成穿衬底通孔(TSV)。保护二极管保护传感器晶圆或第一逻辑晶圆在TSV形成期间免受损坏。将第一逻辑晶圆的第二侧面接合到第二逻辑晶圆。从传感器晶圆的第二侧面将传感器晶圆变薄。
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公开(公告)号：CN116504796A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210955856.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN112018134A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911271896.6
申请日：2019-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及图像传感器。图像传感器包含安置在半导体衬底中的光电检测器。层间介电结构安置在半导体衬底的第一侧上。存储节点安置在半导体衬底中且与光电检测器间隔开，其中存储节点与第一侧间隔开第一距离。第一隔离结构安置在半导体衬底中且位于光电检测器与存储节点之间，其中第一隔离结构从半导体衬底的与第一侧相对的第二侧延伸到半导体衬底中，且其中第一隔离结构与第一侧间隔开小于第一距离的第二距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304617B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510274297.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在些实施例中,半导体器件包括第混合接合器件,该第混合接合器件包括第器件和面对面地混合接合至第器件的第二器件。第器件包括具有第接合连接件的第衬底和设置在该衬底表面上的第接合层。第二混合接合器件背对背地接合至第混合接合器件。第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至第三器件的第四器件。第三器件包括具有第二接合连接件的第二衬底和设置在该衬底表面上的第二接合层。第三器件的第二接合连接件连接至第器件的第接合连接件,并且第三器件的第二接合层连接至第器件的第接合层。
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公开(公告)号：CN104051414B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310241836.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及互连结构和方法，提供了一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的多个第一金属线；第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的多个第二金属线。半导体器件进一步包括连接在第一金属线和第二金属线之间的导电塞，其中，导电塞包括形成在硬掩膜层的第一侧面上方的第一部分和形成在硬掩膜层的第二侧面上方的第二部分，其中，第一部分具有第一宽度；第二部分具有第二宽度，且第二宽度大于或等于第一宽度。
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公开(公告)号：CN106920807A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610755423.3
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供了具有反射器的前照式(FSI)图像传感器。光电探测器掩埋在传感器衬底中。支撑衬底布置在传感器衬底下方并且接合至传感器衬底。反射器布置在光电传感器下方、传感器衬底和支撑衬底之间，并且配置为朝向光电探测器反射入射辐射。同样提供了用于制造具有反射器的FSI图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN103715129B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310036529.4
申请日：2013-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/76 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/2652 , H01L21/28017 , H01L21/761 , H01L21/76237 , H01L29/66575
Abstract: 本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方的栅极介电层和栅电极之间。本发明还公开了注入隔离器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103681454B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210519773.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/761 , H01L21/76237 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/0649
Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。
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