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公开(公告)号：CN120035240A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130323.0
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各个实施例针对包括位于衬底上方的互连结构的器件。接合结构位于互连结构上方。该接合结构包括设置在第一区域中的第一多个导电接合焊盘和设置在第二区域中的第二多个导电接合焊盘。第二区域与第一区域的至少一侧相邻。第一多个导电接合焊盘的第一节距小于第二多个导电接合焊盘的第二节距。本公开的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法和封装件。
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公开(公告)号：CN113161420B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN116504796A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210955856.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110416291B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810811790.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。
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公开(公告)号：CN110416291A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810811790.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078175B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010863694.7
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN116435319A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310146543.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN113161420A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN113078175A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010863694.7
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN222869303U
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202421615907.4
申请日：2024-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体装置，包括横跨半导体基板的第一型井区上方的第一鳍片的第一栅电极；横跨半导体基板的第二型井区上方的第二鳍片的第二栅电极，第一型井区与第二型井区具有相反的导电型；设置于半导体基板上方且在第一鳍片及第二鳍片的侧壁上的隔离层；将第一栅电极与第二栅电极分离开的栅极切割结构，栅极切割结构延伸穿过隔离层；以及介电层，介电层设置于栅极切割结构上并将栅极切割结构与半导体基板分离开，介电层在隔离层的底表面之下。
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