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公开(公告)号：CN111081767A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910851852.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
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公开(公告)号：CN113380844A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110593957.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于子像素的多个光伏结可以形成在半导体衬底中。在减薄半导体衬底的背面之后，可以在减薄的半导体衬底的背侧表面上形成至少一个透明折射结构。每个透明折射结构具有可变厚度，该可变厚度随着距离穿过子像素的第二导电型柱结构的几何中心的垂直轴线的横向距离的减小而减小。包括光学透镜的子像素光学组件可以在至少一个透明折射结构上方形成。每个透明折射结构可以减小向下传播到光电探测器中的光的倾斜角，增加光的全内反射并提高光电探测器的效率。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109427683B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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公开(公告)号：CN109427683A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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公开(公告)号：CN111081767B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201910851852.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687545A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010359040.0
申请日：2020-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本文描述一种形成铁电半导体元件的方法。该方法包括执行一扩散退火制程以驱动一掺杂剂的元素穿过一非晶硅层且驱动至一鳍片上的一栅极介电层中，以形成具有一掺杂剂浓度的梯度深度分布的一掺杂栅极介电层。该掺杂栅极介电层在封盖后退火制程期间结晶，以在该结晶栅极介电层内形成一铁电性质的梯度深度分布。一金属栅极电极经形成于该结晶栅极介电层上以获得该栅极电极与该通道之间的具有多铁电性质的一铁电晶体管。该铁电晶体管可使用在深度类神经网络(deep neural network；DNN)应用中。
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公开(公告)号：CN109427747B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711293943.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN110838446A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910189397.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，第一隔离绝缘层是形成在鳍片之间。虚设氧化层是形成在鳍片及第一隔离绝缘层上。多晶硅层是形成在鳍片上及在鳍片的边缘区域上，其中鳍片的边缘区域是在鳍片的纵向方向的一端上。侧壁间隙壁层是形成在多晶硅层上。鳍片的源极/漏极区域是被蚀刻。源极/漏极区域是未被侧壁间隙壁层所覆盖，借以形成源极/漏极空间。源极/漏极磊晶层是形成在源极/漏极空间内。层间介电层是形成在源极/漏极磊晶层上。多晶硅层是被蚀刻。间隙壁虚设栅极层是形成在多晶硅层上。
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公开(公告)号：CN109427747A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711293943.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
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