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公开(公告)号：CN110957271A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910870889.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L29/10
Abstract: 公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫层的集成电路装置与相关的制作方法。例示性的方法包括在基板上进行鳍状物蚀刻制程，以形成多个第一沟槽以定义第一区中的多个第一鳍状物，以及多个第二沟槽以定义第二区中的多个第二鳍状物。形成氧化物衬垫层于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫层于第一区与第二区中的氧化物衬垫层上。在自第一区移除氮化物衬垫层之后，形成隔离材料于氧化物衬垫层与氮化物衬垫层上，以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫层、与氮化物衬垫层凹陷，以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫层)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫层、与氧化物衬垫层)。
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公开(公告)号：CN114823757A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210088902.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及用于形成隔离结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含半导体衬底、图像传感器及隔离结构。所述隔离结构相邻于所述图像传感器且放置于所述半导体衬底中。所述隔离结构包含：第一氧化物层；第二氧化物层，其在所述第一氧化物层上方；及电荷俘获层，其放置于所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间。所述电荷俘获层包含不同于所述第一氧化物层及所述第二氧化物层的材料的材料。
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公开(公告)号：CN109427683B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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公开(公告)号：CN109427683A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427674B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201810355316.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上，以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中，以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上，其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。
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公开(公告)号：CN112563269A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011023396.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括位于半导体基板上鳍状结构。鳍状结构包括底部与顶部。底部与顶部包括不同材料。装置亦包括位于底部的侧壁上的衬垫层、位于衬垫层的侧表面上的介电层、界面层、与位于介电层上并接合鳍状结构的栅极结构。衬垫层的上表面延伸低于顶部的下表面。界面层的第一部分位于底部的侧壁表面上并与其直接接触，且界面层的第二部分位于顶部的上表面与侧壁表面上并与其直接接触。栅极结构包括高介电常数的介电层，与高介电常数的介电层上的金属栅极。高介电常数的介电层直接接触界面层的第一部分。
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公开(公告)号：CN110648971A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910112315.8
申请日：2019-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/324 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件具有垂直向上突出的鳍结构。减小鳍结构的横向尺寸。在横向尺寸的减小之后，在鳍结构上形成半导体层。在半导体层的形成之后，对半导体器件实施退火工艺。在退火工艺的实施之后，在鳍结构上方形成介电层。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110648971B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910112315.8
申请日：2019-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/324 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件具有垂直向上突出的鳍结构。减小鳍结构的横向尺寸。在横向尺寸的减小之后，在鳍结构上形成半导体层。在半导体层的形成之后，对半导体器件实施退火工艺。在退火工艺的实施之后，在鳍结构上方形成介电层。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109427674A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810355316.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上，以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中，以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上，其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。
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