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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345260B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810137833.7
申请日：2008-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/665
Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN102545922B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110457091.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H02H9/046 , H01L27/0262 , H03F3/24 , H04B1/0475 , H04B2001/0408
Abstract: 一种用于射频发射机的静电放电电路，包括：可控硅整流器(SCR)，电耦合至功率放大器的输出；ESD检测电路，响应于在ESD总线上检测到静电放电来触发SCR；以及ESD箝位电路，耦合至第一电压线。
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公开(公告)号：CN106409851A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610556826.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括：第一衬底，包括第一辐射感测区域和形成在第一衬底的前侧上方的第一互连结构。图像传感器结构还包括：第二衬底，包括第二辐射感测区域和形成在第二衬底的前侧上方的第二互连结构。另外，将第一互连结构与第二互连结构接合。
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公开(公告)号：CN102545922A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110457091.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H02H9/046 , H01L27/0262 , H03F3/24 , H04B1/0475 , H04B2001/0408
Abstract: 一种用于射频发射机的静电放电电路，包括：可控硅整流器(SCR)，电耦合至功率放大器的输出；ESD检测电路，响应于在ESD总线上检测到静电放电来触发SCR；以及ESD箝位电路，耦合至第一电压线。
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公开(公告)号：CN101345260A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810137833.7
申请日：2008-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/665
Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。
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