公开(公告)号：CN118352389A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410187898.1

申请日：2024-02-20

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  樊涤非 ,  汪青 ,  何佳琦 ,  王沛然 ,  邓宸凯 ,  陶赓名

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基射频器件，所述高线性度GaN基射频器件从下至上包括基底、缓冲层、势垒层；其中，所述势垒层的材料为AlGaN，所述势垒层的中间部分，设置有一道纵向贯穿所述势垒层的主凹槽，所述主凹槽的两端，设置有若干条与所述主凹槽垂直的分凹槽；本发明通过对栅极凹槽沟道形状进行设计，再对势垒层进行刻蚀或再生长，制备高质量凹栅结构，优化了载流子运输特性，从而制备高线性度高耐压的常关型GaN射频器件。

公开(公告)号：CN115513292A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211237989.9

申请日：2022-10-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 唐楚滢 ,  傅淳 ,  汪青 ,  于洪宇 ,  杜方洲 ,  卢宏浩 ,  何佳琦 ,  邓宸凯 ,  李汶懋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆栅长关型器件及其制备方法，该p‑GaN欧姆栅长关型器件的栅极金属包括设置在p‑GaN外延层表面的高亲氧性金属和设置在高亲氧性金属上的高功函数金属，在该p‑GaN欧姆栅长关型器件的制备方法过程中，利用高温退火过程中的元素反应，有效去除GaOx污染物，使栅极的高功函数金属与p‑GaN形成欧姆接触。在形成欧姆接触的同时，既不会造成化学溶液的残留，也不会对样品表面造成损伤，从而消除现有去除GaOx污染物工艺造成的降低器件性能和可靠性的危害。

公开(公告)号：CN110504301A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910849437.5

申请日：2019-09-09

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 何佳琦 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/10 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物晶体管外延结构。该III族氮化物晶体管外延结构包括衬底以及依次叠层在所述衬底上的成核层，缓冲层，沟道层和势垒层；所述衬底包括多个凹槽结构和位于所述凹槽结构之间的生长窗口；所述成核层位于所述衬底的所述生长窗口；所述缓冲层包括形成在合并区的沿所述生长窗口指向与其相邻的所述凹槽结构的方向外延生长的半极性Ⅲ族氮化物和形成在窗口区的沿与所述衬底所在平面垂直的方向外延生长的所述半极性Ⅲ族氮化物；所述沟道层和所述势垒层均为半极性Ⅲ族氮化物，所述合并区和所述窗口区均延伸到所述沟道层和所述势垒层。该III族氮化物晶体管外延结构有助于实现制备高电子迁移率、低横向漏电的增强型HEMT器件。

公开(公告)号：CN118919562A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410441529.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  王沛然 ,  汪青 ,  何佳琦 ,  邓宸凯 ,  樊涤非 ,  陶赓名

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明在m晶面GaN外延片上直接外延常规的AlxGa1‑xN/GaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。

公开(公告)号：CN117913121A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311720920.6

申请日：2023-12-14

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  王沛然 ,  汪青 ,  邓宸凯 ,  何佳琦 ,  黎程龙 ,  樊涤非 ,  陶赓名

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种沟槽叠层钝化结构的氮化镓器件，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、势垒层、Si3N4钝化层、金刚石钝化层；所述Si3N4钝化层表面刻蚀若干个沟槽，所述金刚石钝化层与刻蚀有沟槽的Si3N4钝化层表面紧密接触；其中，所述源极和漏极设置在金刚石钝化层的两端，所述栅极设置在源极和漏极之间；所述源极、漏极和栅极贯穿金刚石钝化层和Si3N4钝化层，直至势垒层的上表面。本发明提高了Si3N4钝化层与金刚石钝化层的接触面积并降低边界热阻，具有高导热作用，可以有效降低GaN器件的结温，实现更好的散热性能，从而降低结温，减小GaN器件直流和射频特性的退化效果。

公开(公告)号：CN111554742A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010393703.0

申请日：2020-05-11

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 蒋洋 ,  于洪宇 ,  汪青 ,  范梦雅 ,  何佳琦

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。该方法能够精确控制刻蚀深度，改善欧姆接触区域的刻蚀形貌，提升欧姆接触质量，提升输出饱和电流，提升器件性能。

公开(公告)号：CN110739348A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201911026043.6

申请日：2019-10-25

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 何佳琦 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件，该半导体外延结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底的上方形成沟道层；在沟道层的上方形成第一势垒层，第一势垒层包括栅极区和位于栅极区两侧的生长区；在第一势垒层包括的栅极区的上方形成介电掩膜层；在第一势垒层包括的生长区的上方形成第二势垒层，第二势垒层的厚度大于介电掩膜层的厚度。本发明实施例的技术方案，简化了制备半导体外延结构工艺步骤，达到了适合量产的技术效果。