公开(公告)号：CN119730263A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411903150.3

申请日：2024-12-23

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  李汶懋 ,  胡乔宇 ,  汪青

IPC: H10D8/60 ,  H10D62/10 ,  H10D8/01

Abstract: 本申请涉及一种垂直氮化镓肖特基器件结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该垂直氮化镓肖特基器件结构包括阳极、阴极、边缘终止结构，以及沿厚度方向依次层叠的非本征衬底层、缓冲层、N+通道层、N‑漂移层，边缘终止结构覆盖N‑漂移层的侧壁以及部分上表面；阳极位于N‑漂移层的其余部分上表面并延伸至边缘终止结构的部分上表面形成阳极场板，阴极位于N+通道层未被N‑漂移层覆盖的部分表面；其中，边缘终止结构的材料包括p型半导体氧化物。通过设置具有特定结构和材料的边缘终止结构，且于边缘终止结构表面设置阳极场板，两者共同作用，能够有效控制阳极边缘的电流分布，减少电流拥挤，进而有效提高器件的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN108217720B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201611161737.7

申请日：2016-12-15

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 何恺 ,  张蕾 ,  于洪宇 ,  李剑 ,  周智辉 ,  陈朗 ,  胡乔宇

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/49

Abstract: 本发明涉及钛酸钡陶瓷技术领域，尤其涉及一种片式多层陶瓷电容器用钛酸钡纳米晶的制备方法。所述方法包括以下步骤：依次向行星式重力搅拌机的塑料罐中加入溶剂、摩尔质量比为1:1的碳酸钡和金红石型二氧化钛、分散剂、球磨珠；按480RPM～550RPM的速度搅拌30s～60s、再以700RPM～1000RPM的搅拌速度搅拌60s～120s，搅拌若干个周期，得到浆料；对所述浆料进行过筛处理；对过筛后的浆料干燥处理，得到干粉；对干粉进行预烧处理。本制备方法得到的钛酸钡c/a接近1.010，并且该混料方式仅需15min左右，极大地缩短了制备时间，最终产物无团聚现象并具有纯度高等特点。