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公开(公告)号：CN116445044B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310261443.5
申请日：2023-03-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D129/04 , H01B13/00 , H01B5/14 , C09D7/61
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种复合结构柔性透明介电层及其低温制备方法与应用。将含有铪、镁、钛、钇、锆的前驱体溶液与含有极性基团的有机大分子前驱体溶液等体积混合，分散均匀，旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火，得到所述的复合结构柔性透明介电层。本发明通过结合低漏电流的高熵金属氧化物薄膜和高抗弯折性的有机大分子来制备柔性介电层。两者通过配位螯合以及氧化还原反应形成稳
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公开(公告)号：CN107134983B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201710350481.2
申请日：2017-05-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种运算放大器，包括输入级电路、偏置电路及输出级电路，所述输入级电路包括差分输入模块、第一及第二增益自举模块，所述偏置电路包括偏置模块和共模反馈模块，所述输出级电路包括差分转单端模块；共模反馈模块为差分输入模块提供一个偏置电压，且具有共模反馈功能，反馈信号通过控制差分输入模块的尾电流源来消除失调电压，差分转单端模块将输入级电路输出的两个差分信号反相叠加后以单端口输出。本发明能有效提高运算放大器的增益。
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公开(公告)号：CN110690889A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910971499.3
申请日：2019-10-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种电平移位电路，包括第一耦合模块、第二耦合模块及第三耦合模块；所述第一耦合模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第九晶体管以及第一电容；所述第二耦合模块包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第十晶体管及第二电容；所述第三耦合模块包括第七晶体管及第八晶体管，本发明在仅使用N型晶体管的情况下实现电平移位的功能，利用低摆幅信号控制切换高摆幅信号。
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公开(公告)号：CN110047902A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910351308.3
申请日：2019-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件、显示面板的制作方法和显示装置。该有机电致发光器件包括基板、多个像素单元和至少一个生物特征识别单元。像素单元包括多个子像素，子像素包括发光器件。生物特征识别单元包括光敏二极管。发光器件至少包括依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极。光敏二极管至少包括依次层叠设置的第三电极、活性层和第四电极。有机电致发光器件还包括至少一层半导体异质结层，半导体异质结层设置于第一电极和第三电极远离基板的一侧，半导体异质结层复用为活性层，可以在制备生物识别单元过程中减少使用额外增加的精密掩膜版，降低有机电致发光器件的制备成本，同时提高良率。
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公开(公告)号：CN108649927A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810728846.5
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗D触发器，该D触发器是由N型管构成的低功耗D触发器。D触发器由六个或非门组成，其中一个三输入或非门、五个二输入或非门。或非门采用的伪cmos结构，以提高输出电压的摆幅。通过反馈实现低功耗的功能，解决了由于全N型管设计所带来的高功耗问题。该D触发器由于只使用N型管，所以降低了工艺步骤的复杂度，有利于控制成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105184356B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510633513.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/067 , G06K19/077 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法，该射频识别标签主要由天线、模拟前端、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路构成，EEPROM存储电路包括存储器件及外围读写电路构成，天线主要由金属线圈所组成，模拟前端和时钟及数字逻辑电路由常规薄膜晶体管所组成，而EEPROM存储电路主要是由常规薄膜晶体管和存储薄膜晶体管所组成。本发明提供了一种采用薄膜工艺在同一基板上一体化制备包括天线、模拟前端电路、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路这四部的整个射频识别标签的方法，克服传统的RFID标签存在IC芯片与外接天线整合成本高、工序复杂等缺点，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN108231905A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711323516.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法。在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极并图形化，然后通过阳极氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层，再采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积非晶氧化物半导体薄膜作为有源层，将所得的器件在能量密度范围为40～70mJ/cm2的266nm全固态激光条件下进行照射，最后利用掩膜法在非晶氧化物半导体薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明的TFT器件利用266nm波长的全固态激光器快速处理，无需长时间热退火处理获得器件性能，有效地节约生产成本。
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公开(公告)号：CN107170832A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710447622.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/443 , H01L21/477 , H01L29/66969
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～450℃空气中进行退火处理，最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明通过退火处理后，可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。
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公开(公告)号：CN103943058B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410175542.2
申请日：2014-04-28
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明公开了一种行栅极扫描器及其驱动方法，行栅极扫描器由电源与时序控制模块、奇数行栅极驱动阵列及偶数行栅极驱动阵列构成，奇数行栅极驱动阵列及偶数行栅极驱动阵列内部的栅极驱动单元电路采用多重反馈回路抑制内部泄漏电流，具有低功耗，工作稳定等特点；行栅极扫描器利用25％和37.5％占空比混合时序驱动，不仅能够避免出现竞争冒险的危险，保持电路稳定性，而且能够把输出端口的充电和放电功能集中到对应的相同晶体管完成，利于减少占用面积，减少延时效应。同时，对行栅极充电和放电过程都充分利用了电路内部自举后的高电压驱动大尺寸TFT，提高反应速度，有利于高频显示。
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公开(公告)号：CN106449425A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610861206.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/4846 , H01L23/49866
Abstract: 本发明公开了一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法。制备方法包括如下步骤：(2)在温度100-500℃的条件下进行退火；(3)在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜；在温度100-500℃的条件下进行退火。本发明方法所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低，制备工艺简单的特点。(1)在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层；
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