公开(公告)号：CN108987466A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810669012.1

申请日：2018-06-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕建国 ,  吕容恺 ,  李思嵚 ,  叶志镇

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/443 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L29/43 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，柔性衬底为有机聚合物衬底，n型ZnAlSnO非晶氧化物薄膜为沟道层。制备步骤为：在有机衬底上生长AZO电极为栅极；再生长150~300 nm的Al2O3绝缘层；再生长非晶ZnAlSnO薄膜为沟道层；对上述薄膜进行后处理，再沉积AZO电极，为源极和漏极；最后，生长一层Al2O3薄膜进行封装，制备出n型非晶ZnAlSnO薄膜晶体管。上述各薄膜层的制备均采用磁控溅射方法实现。本发明制得的柔性n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管，具有全透明、迁移率高、不含有In元素、工艺简单、成本低等优点，可用于高端柔性显示屏生产。

公开(公告)号：CN108474986A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680000897.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王珂 ,  宁策

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/13363 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  C23C14/35 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1343 ,  G03F5/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/443 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的显示基板和显示面板以及该薄膜晶体管的制作方法。所述薄膜晶体管包括：衬底基板；衬底基板上的有源层，其具有沟道区、第一电极接触区和第二电极接触区；以及位于第一电极接触区的远离衬底基板的一侧上的第一电极；和位于第二电极接触区的远离衬底基板的一侧上的第二电极；第一电极和第二电极由非晶碳材料制成。

公开(公告)号：CN105632896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610061764.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 蔡良毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括设置基底；在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极。其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。

公开(公告)号：CN106373967B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201610968576.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛菁 ,  孙双 ,  张方振 ,  米东灿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/443 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板的制备方法包括：在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形；形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔；形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构；形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。该阵列基板的制备方法简化了生产过程，减少了由于对位不准引起的产品不良。

公开(公告)号：CN104966696B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510227686.2

申请日：2015-05-06

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 石龙强 ,  韩佰祥

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0465 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过将连接两双栅极TFT的连接电极(83)设置于第三金属层，避免了现有设计中将连接电极与数据线、供电压线等讯号线共同设置于第二金属层从而导致该连接电极与第二金属层的设计规则变小的问题，有利于提高显示面板的开口率、及分辨率。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，具有高开口率及高分辨率。

公开(公告)号：CN104299915B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410562680.6

申请日：2014-10-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  邵阳 ,  肖祥 ,  贺鑫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/473 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/28 ,  H01L21/443 ,  H01L21/475 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其步骤：选取衬底，在衬底制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生成一层第一金属层；在第一金属层上生成一层第二金属层；在第一金属层中间位置上制备沟道区，在第二金属层中间位置上制备钝化区；在常压和室温下对沟道区和钝化区的金属进行阳极氧化处理；制作源区和漏区，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；源区和漏区由未经过阳极氧化处理的第一金属层和第二金属层的双层金属组成；在有源区上淀积一层氮化硅层，制作电极的两个接触孔；法淀积一层金属铝膜，然后光刻和刻蚀制成两个金属接触电极。本发明可以广泛在薄膜晶体管领域中应用。

公开(公告)号：CN104779254A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410850991.2

申请日：2014-12-31

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朱迅 ,  朴在佑 ,  宋栽沅 ,  李金熙 ,  崔畯焕

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133519 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/443 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。栅极电极设置在基板上。半导体层设置在栅极电极上。栅极绝缘层设置在栅极电极和半导体层之间。源极电极设置在半导体层的第一侧，并具有第一侧表面。漏极电极设置在半导体层的第二侧，并具有第二侧表面。第一和第二侧表面限定重叠栅极电极的间隔。金属硅化物层设置在第一和第二侧表面上。钝化层设置在金属硅化物层、源极电极和漏极电极上。钝化层不与第一和第二侧表面接触。

公开(公告)号：CN108292672A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084765.0

申请日：2015-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V·H·勒 ,  R·里奥斯 ,  G·杜威 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  M·拉多萨夫列维奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/443 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的实施例包括非平面InGaZnO(IGZO)晶体管和形成这种器件的方法。在实施例中，IGZO晶体管可以包括衬底和形成于衬底上方的IGZO鳍状物。实施例可以包括邻近IGZO鳍状物的不止一个表面形成的源极接触部和漏极接触部。此外，实施例可以包括形成于源极接触部和漏极接触部之间的栅极电极。栅极电极可以通过栅极电介质与IGZO层隔开。在一个实施例中，所述IGZO晶体管是鳍式场效应晶体管。在另一实施例中，所述IGZO晶体管是纳米线或者纳米带晶体管。本发明的实施例还可以包括形成于集成电路芯片的后段工艺堆叠体(BEOL)中的非平面IGZO晶体管。

公开(公告)号：CN107017303A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611264421.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林时彦 ,  吴崇荣 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/443 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/24

Abstract: 提供半导体装置结构，半导体装置结构包含基底。半导体装置结构包含半导体层位于基底上方，半导体层包含过渡金属硫属化物。半导体装置结构包含源极电极和漏极电极位于半导体层上方并连接半导体层，且通过间隙彼此间隔开，源极电极和漏极电极由石墨烯制成。

公开(公告)号：CN104112711B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410351501.4

申请日：2014-07-22

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 吕晓文 ,  曾志远 ,  苏智昱 ,  胡宇彤 ,  李文辉 ,  石龙强 ,  张合静

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/443 ,  H01L21/47573 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板的制作方法，包括：步骤1、提供基板(1)；步骤2、形成栅极(2)；步骤3、沉积栅极绝缘层(3)；步骤4、在栅极绝缘层(3)上形成光阻层(4)；步骤5、对光阻层(4)进行分区域曝光、显影，形成通孔(41)、数个凹陷部(42)；步骤6、去除所述通孔(41)下方的栅极绝缘层(3)；步骤7、去除光阻层(4)的数个凹陷部(42)下方的光阻层(4)；步骤8、在栅极绝缘层(3)与剩余的光阻层(4’)上沉积第二金属层(5)；步骤9、去除剩余的光阻层(4’)及沉积于其上的第二金属层(5)，形成源/漏极(51)；步骤10、沉积并图案化氧化物半导体层(6)；步骤11、沉积并图案化保护层(7)。