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公开(公告)号：CN109449199A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811131561.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。
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公开(公告)号：CN108511348A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810354534.2
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种PEN柔性衬底透明薄膜晶体管及其制备方法。将玻璃基底清洗，烘干后用OCA胶贴上一层PEN；在PEN层上通过射频磁控溅射沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到PEN柔性衬底透明薄膜晶体管。本发明采用AZO作为TFT器件的栅极和源漏电极，所得TFT器件具有高性能、高透明度且无毒的优点。
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公开(公告)号：CN109402735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108010960A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN109524469B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108777250B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108336135B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109887991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN110228818A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910481472.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，公开了一种形貌可控大尺寸氧化亚锡晶体材料的制备方法。将SnCl2·2H2O作为溶质，溶解在稀盐酸中，然后滴加NaOH溶液，调节溶液pH值至11.8～12.3，将所得溶液在恒温箱中50～100℃加热处理，得到黑色沉淀物质，用乙醇和去离子水依次洗涤，干燥得到目标产物。本发明提供形貌可控、大尺寸晶体氧化亚锡半导体材料的制备方法，利用溶胶凝胶机理。这种方法实验操作简单，所需的药品都为绿色环保且价格低廉。并且所制得的氧化亚锡晶体形状规则且尺寸大。加热处理采用恒温箱来调控，长出来的晶体尺寸更大，且实现了形貌的可控，效果更为明显。
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