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公开(公告)号：CN108863101B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810637117.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1524
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜技术领域，公开了一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。将钨粉与过氧化氢溶液混合反应，得到钨酸溶液；然后加入硅酸四乙酯、PEO、无水乙醇，加热搅拌混合均匀，得到前驱体溶液；在洗净的ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在450℃～550℃的温度下退火处理3h以上，直至薄膜由灰黑色变为透明，PEO碳化分解完全，得到掺杂SiO2的结晶WO3电致变色薄膜。本发明所得WO3薄膜具有高比表面积、高孔洞率，提高了结晶态薄膜的透射率调制能力，克服了传统溶液法制备的结晶态WO3薄膜低透射率调制能力的缺点。
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公开(公告)号：CN111455324A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010315773.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10-4～5×10-4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材-基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN111128023A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911351905.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明属于柔性显示的技术领域，公开了一种韧性可调的柔性基板结构及其制备方法。所述柔性基板结构由下至上依次包括第二柔性基板、第二导电薄膜、第二绝缘层、电流变液填充体、第一绝缘层、第一导电薄膜、第一柔性基板。本发明还公开了柔性基板结构的制备方法。本发明采用的绝缘层结构，有效减小漏电流，防止通电情况下第一导电层和第二导电层因接触而短路，同时避免电流对电流变液的损伤，有效阻断电流变液对导电层的侵蚀；经过等离子体表面处理，绝缘层的表面浸润特性进行了改善，有利于电流变液填充体粘附于绝缘层。
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公开(公告)号：CN109449199A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811131561.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。
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公开(公告)号：CN109251587A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810938263.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D11/30
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，涉及氧化物薄膜的喷墨打印制备工艺，具体涉及一种凝胶模板法制备喷墨打印氧化物薄膜的方法。所述方法包括以下步骤：打印机基板保持50～60℃，墨滴速度10～20m/s，喷头不升温，墨滴间距取30～40μm，在衬底上进行喷墨打印；打印结束后将产品静置至凝胶化完成，干燥后在300～450℃下退火1h，得到多孔氧化物薄膜；喷墨打印中使用的墨水为乙二醇溶液，所述乙二醇溶液中含有相当于乙二醇质量0.3～5％的聚丙烯酰胺，以及浓度为0.1～1.0M的八水合氯氧化锆。相比传统的凝胶模板法，本发明基于喷墨打印技术，具有快速沉积、快速图形化、材料设备成本低、能耗小等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109180017A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810980744.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1523
Abstract: 本发明属于电致变色器件技术领域，具体涉及一种溶液法低温制备WO3电致变色薄膜的方法。所述方法包括如下制备步骤：将氯化钨溶于无水乙醇中，离心搅拌后，得到前驱体溶液；在衬底上旋涂前驱体溶液，在空气中静置30～60min，然后在100～300℃的温度下退火处理1～2h，得到WO3薄膜。本发明通过将氯化钨溶于无水乙醇中离心后得到前驱体，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，能够在低温下得到氧化钨电致变色薄膜，使得低温制备电致变色器件成为可能，同时本方法的工艺流程和所需的设备条件相对简单，有利于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN108863101A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810637117.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜技术领域，公开了一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法。将钨粉与过氧化氢溶液混合反应，得到钨酸溶液；然后加入硅酸四乙酯、PEO、无水乙醇，加热搅拌混合均匀，得到前驱体溶液；在洗净的ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在450℃～550℃的温度下退火处理3h以上，直至薄膜由灰黑色变为透明，PEO碳化分解完全，得到掺杂SiO2的结晶WO3电致变色薄膜。本发明所得WO3薄膜具有高比表面积、高孔洞率，提高了结晶态薄膜的透射率调制能力，克服了传统溶液法制备的结晶态WO3薄膜低透射率调制能力的缺点。
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公开(公告)号：CN108777249A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810521550.6
申请日：2018-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备高密度氧化锆绝缘层薄膜的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和H3BO3溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后退火处理，得到高密度ZrO2绝缘层薄膜。本发明在硝酸锆溶液中加入H3BO3，利用退火过程中形成的B-O(硼氧键)来提高薄膜的致密度，使得能够基于溶液法制备高密度ZrO2薄膜。
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公开(公告)号：CN108511348A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810354534.2
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种PEN柔性衬底透明薄膜晶体管及其制备方法。将玻璃基底清洗，烘干后用OCA胶贴上一层PEN；在PEN层上通过射频磁控溅射沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到PEN柔性衬底透明薄膜晶体管。本发明采用AZO作为TFT器件的栅极和源漏电极，所得TFT器件具有高性能、高透明度且无毒的优点。
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公开(公告)号：CN108172524A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711249282.9
申请日：2017-12-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。在干净的玻璃基板表面依次制备Al掺杂Nd薄膜、Al2O3绝缘层和a‑IGZO薄膜，得到打印基板；将所得打印基板置于喷墨打印机中，以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极，所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化，加压速率为0.5V/μs，四个波段持续时间分别为6.52μs、6.15μs、6.78μs、1.67μs，打印完成后得到TFT阵列源漏电极。本发明通过调节压电波形消除喷墨打印源漏电极薄膜的卫星点，具有处理工艺简单，操作时间短，处理效率高，成本低的优点。
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