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公开(公告)号：CN109402735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108396313B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810078909.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域，公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为：(1)溶液的配制：采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液；所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系；所述聚合物为水溶性聚合物；(2)喷墨打印薄膜：将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜，获得凝胶化薄膜；(3)热处理：将凝胶化薄膜于60～80℃干燥15～48h，然后梯度退火，最后高温热处理，获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹，使得所制备的薄膜表面平整与致密，提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN108010960A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN107808029A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710841855.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法。所述方法为：(1)采用Tracepro软件依次构建垂直结构LED芯片模型衬底、p电极层、外延层，绘制n电极图案，构建接触靶面，设置材料参数和光源，分析LED芯片模型的出光效率，收集记录数据，优化图案参数；(2)按照上述步骤构建多个不同电极图案的垂直结构LED芯片模型，对比分析各模型的光线数据，得到外量子效率最优的电极图案；(3)在垂直结构LED芯片表面形成n电极图案；(4)性能测试，与模拟的结果对比，得出结论。本发明的方法高效，在较短时间内就能得出性能优异的LED芯片对应的n电极图案，节约了时间、降低了成本。
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公开(公告)号：CN107731930A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710947178.0
申请日：2017-10-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/66227
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法。所述氧化锡基半导体薄膜晶体管由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。本发明以非晶掺硅氧化锡作为有源层，所得TFT器件无需退火即可获得不错的器件性能，有效地节约生产成本。具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735821B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr‑IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108010960B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN107785439B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710785090.3
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：室温下直流溅射在基板上制备TFT金属栅极；室温下通过阳极氧化法将一部分栅极氧化成栅极绝缘层；室温下通过脉冲直流溅射制备氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体为非晶型铟镓锌氧化物；室温下通过直流溅射制备金属源漏电极。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲直流溅射波形，在室温下优化器件的电学性能，制备高性能的薄膜晶体管，体现出了工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力。
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公开(公告)号：CN109767973A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811532972.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明属于深紫外激光退火领域，公开了一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法。该方法包括以下步骤：在玻璃基板上制备非晶氧化物半导体薄膜，然后将薄膜平放在样品台上，设定激光器透镜与薄膜样品间的最小距离、设定激光光速的移动速度、光束移动的横向重叠率纵向间距，然后用激光光束进行横向连续扫描，直至作用完所有区域。本发明通过深紫外激光在薄膜上连续扫描，使薄膜的表面形貌，物理性质和光学特性得到改善，且提高了光透射率，同时激光处理使STO的光学带隙增大。与传统的高温热处理相比有高能量，处理范围可选择，时间短，能耗低等优点，作用完整片10×10mm的样品只需要1.98s。
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公开(公告)号：CN109742149A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811533635.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种双层硅掺杂氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法和应用。本发明采用低成本的非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过改变氧分压，制备双有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能，因此可应用于液晶显示和有机发光二极管显示中。本发明制备双有源层的靶材是同一块靶材，不需要开腔更换靶材，制备简单，有效地节约成本和提高生产效率。
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