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公开(公告)号：CN108649927A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810728846.5
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗D触发器，该D触发器是由N型管构成的低功耗D触发器。D触发器由六个或非门组成，其中一个三输入或非门、五个二输入或非门。或非门采用的伪cmos结构，以提高输出电压的摆幅。通过反馈实现低功耗的功能，解决了由于全N型管设计所带来的高功耗问题。该D触发器由于只使用N型管，所以降低了工艺步骤的复杂度，有利于控制成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108649927B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810728846.5
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗D触发器，该D触发器是由N型管构成的低功耗D触发器。D触发器由六个或非门组成，其中一个三输入或非门、五个二输入或非门。或非门采用的伪cmos结构，以提高输出电压的摆幅。通过反馈实现低功耗的功能，解决了由于全N型管设计所带来的高功耗问题。该D触发器由于只使用N型管，所以降低了工艺步骤的复杂度，有利于控制成本。
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公开(公告)号：CN109286314B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811241460.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全N型四相位时钟电荷泵，包括驱动电路与控制电路；所述驱动电路用于完成电荷的逐级转移和积累，包括第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第二电容、第四电容、第六电容、第八电容和第十电容；所述控制电路用于提高电荷转移的效率，包括第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管、第一电容、第三电容、第五电容、第七电容、第九电容、第十一电容。本发明通过对输出级电压采样，构造出四相位时钟电荷泵的阈值消除结构，实现消除阈值损失和提高输出电压的目的。
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公开(公告)号：CN109286314A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811241460.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全N型四相位时钟电荷泵，包括驱动电路与控制电路；所述驱动电路用于完成电荷的逐级转移和积累，包括第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第二电容、第四电容、第六电容、第八电容和第十电容；所述控制电路用于提高电荷转移的效率，包括第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管、第一电容、第三电容、第五电容、第七电容、第九电容、第十一电容。本发明通过对输出级电压采样，构造出四相位时钟电荷泵的阈值消除结构，实现消除阈值损失和提高输出电压的目的。
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公开(公告)号：CN209516934U
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201821724758.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种全N型四相位时钟电荷泵，包括驱动电路与控制电路；所述驱动电路用于完成电荷的逐级转移和积累，包括第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第二电容、第四电容、第六电容、第八电容和第十电容；所述控制电路用于提高电荷转移的效率，包括第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管、第一电容、第三电容、第五电容、第七电容、第九电容、第十一电容。本实用新型通过对输出级电压采样，构造出四相位时钟电荷泵的阈值消除结构，实现消除阈值损失和提高输出电压的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208849741U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821058189.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种低功耗D触发器，该D触发器是由N型管构成的低功耗D触发器。D触发器由六个或非门组成，其中一个三输入或非门、五个二输入或非门。或非门采用的伪cmos结构，以提高输出电压的摆幅。通过反馈实现低功耗的功能，解决了由于全N型管设计所带来的高功耗问题。该D触发器由于只使用N型管，所以降低了工艺步骤的复杂度，有利于控制成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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