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公开(公告)号：CN111446042A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010165375.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
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公开(公告)号：CN109346242B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
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公开(公告)号：CN109524469A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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公开(公告)号：CN109202061A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811156354.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米球及其制备方法与应用。本发明使用多元醇法制备直径为400-550nm的银纳米球，其步骤为：将聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中，于140℃加热并搅拌至其完全溶解；向反应器中滴加NaBr乙二醇溶液；搅拌条件下向反应器中滴加AgNO3乙二醇溶液；然后在140℃及搅拌条件下继续反应90min，完成反应后离心分离产物，制得银纳米球。本发明能够在较短时间内制备出形貌均匀的银纳米球，成本低廉，工艺简单，可作为光电材料用于高灵敏度检测传感器件与太阳能电池中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108927531A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810958602.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电极材料制备技术领域，公开了一种基于多成核控制剂的银纳米线及其制备方法和应用。将PVP加入到乙二醇中，加热搅拌至完全溶解，然后加入多种成核控制剂的乙二醇溶液，得到混合液；所述多种成核控制剂是指NaCl与NaBr、CuCl2、FeCl3中的至少一种所组成的成核控制剂；搅拌条件下，往混合液中滴加AgNO3乙二醇溶液，加热搅拌反应，反应产物经离心分离、洗涤，得到银纳米线。本发明创新地通过添加多种成核控制剂，实现了不同成核控制剂的相辅相成，在发挥单成核控制剂作用的同时，抑制其负面效果，制备出使用单一成核控制剂时难以达到的高长径比银纳米线。
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公开(公告)号：CN108396313A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810078909.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域，公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为：(1)溶液的配制：采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液；所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系；所述聚合物为水溶性聚合物；(2)喷墨打印薄膜：将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜，获得凝胶化薄膜；(3)热处理：将凝胶化薄膜于60～80℃干燥15～48h，然后梯度退火，最后高温热处理，获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹，使得所制备的薄膜表面平整与致密，提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN116121391A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310122978.4
申请日：2023-02-14
IPC: C12Q1/6886
Abstract: 本发明提供了白细胞m5C甲基化修饰在非小细胞肺癌诊断和预后中的应用，属于分子生物医学技术领域。本发明的白细胞m5C甲基化修饰水平用于非小细胞肺癌的诊断具有较高的准确性和灵敏度，相对于影像学NSCLC筛查能避免放射性风险；相对于穿刺活检能避免有创性体内检测风险；相对于血液肿瘤标志物，如CEA、SCC、Cyfra21‑1，本发明的诊断效能更高，并且针对早期NSCLC患者也展现优秀的诊断能力，为非小细胞肺癌的诊断提供一种全新的客观指标，进一步为非小细胞肺癌的诊断、疗效评估提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN108396313B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810078909.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域，公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为：(1)溶液的配制：采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液；所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系；所述聚合物为水溶性聚合物；(2)喷墨打印薄膜：将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜，获得凝胶化薄膜；(3)热处理：将凝胶化薄膜于60～80℃干燥15～48h，然后梯度退火，最后高温热处理，获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹，使得所制备的薄膜表面平整与致密，提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN108010960A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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