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公开(公告)号：CN114497347A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210392220.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/08 , H01L29/861 , G08C23/02
Abstract: 本发明属于压电电子领域，公开了一种压电PN结模块在声‑电二极管中的应用。压电PN结模块包括直流电源、压电PN结和绝缘基体；在压电PN结中间交界面两侧以点状连接方式，通过绝缘胶将压电PN结固接于绝缘基体上表面；直流电源用于向压电PN结两端施加正向或反向直流偏压；将压电PN结作为声‑电二极管，声‑电二极管的一端作为机械信号输入端，另一端作为机械信号输出端，通过改变向绝缘基体施加的弯矩大小和转向，调控声‑电二极管的波动特征和伏安特性。本发明基于机械信号与载流子的耦合作用，通过机械调控方式改变压电半导体结构中的电流大小和机械信号的振幅，能够实现多物理场与载流子的耦合波动融合调控。
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公开(公告)号：CN113594289A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110764868.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。
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公开(公告)号：CN109616541B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811268681.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p‑n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p‑n结有效降低了p‑n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。
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公开(公告)号：CN108666375B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201810356878.7
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。
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公开(公告)号：CN107523811B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710679857.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C18/14
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920852A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910148943.1
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS2场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层；所述有源层为本征过渡金属硫族化合物薄膜；在所述绝缘衬底结构的未形成所述有源层的边缘区域涂覆n型掺杂前驱体溶液；对所述边缘区域进行激光直写，以在所述边缘区域形成源漏区层；所述源漏区层为n型过渡金属硫族化合物薄膜；在所述源漏区层蒸镀电极结构，得到所需的二维材料器件。本发明无需进行光刻等图形化步骤，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN105870253B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201610258405.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化钨/ 硅（WS2 / Si）异质结太阳能电池的方法，主要工艺是：对p型单晶硅片清洗、制绒后置于PECVD系统中制备出本征非晶硅薄膜层；经WO3的硫化制备出WS2 薄膜层；在其反面热蒸发金属铝背电极，正面采用电子束蒸发制备出钯薄膜构成上电极，得到异质结太阳能电池。该化学气相沉积方法可制备出面积大、分布均匀、高结晶性的纳米WS2薄膜材料，有很好的载流子迁移率和带隙可调控优点，且实验方法简单、工艺可控、易操作、成本较低、光电转换效率高，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN102403376B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110333029.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；第二ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；第一ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。
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公开(公告)号：CN103346168A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN119816189A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411951916.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。
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