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公开(公告)号：CN113594240A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110821720.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/73 , H01L29/24 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN113206159A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110437540.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112687737A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551737.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种水平同质结双极性晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，包括：P型掺杂单晶硅、SiO2氧化层、N型MoS2薄膜、P型MoS2薄膜和电极层；其中，SiO2氧化层位于P型掺杂单晶硅的上表面；N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜均位于SiO2氧化层的上表面，且N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜横向连接；电极层分别位于N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜的上表面，各电极层之间不相互连接。N型MoS2薄膜和P型MoS2薄膜均以MoS2作为载流子，载流子迁移率高，界面态少，从而使得对应的水平同质结双极性晶体管放大系数高；另外，本发明所提供的水平同质结双极性晶体管可以设置极小尺寸的基区宽度，以及实现发射区载流子浓度远远大于基区载流子浓度，从而实现极高的共射极放大系数。
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公开(公告)号：CN111463290A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
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公开(公告)号：CN113594240B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110821720.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/73 , H01L29/24 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
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公开(公告)号：CN112687801A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN111463268A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284778.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。
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公开(公告)号：CN108899267B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810648685.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的制备方法可以实现硫化钼生长与掺杂一步完成。使用该方法制备金属掺杂的二硫化钼薄膜均匀性好，面积大，并且可以根据金属盐溶液的浓度调节掺杂浓度。通过改变激光辐射的功率、光斑大小和脉冲数目能够实现对晶体结晶形貌的控制。本发明制备方法容易操作，重复率高，制备时间短，效率高。
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公开(公告)号：CN112687801B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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