公开(公告)号：CN102403376A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110333029.8

申请日：2011-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  鲜映霞 ,  文国知 ,  肖容

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。

公开(公告)号：CN102403376B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110333029.8

申请日：2011-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  姜礼华 ,  张笑 ,  鲜映霞 ,  文国知 ,  肖容

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1～6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层，所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为：Ag/Al栅形电极（7）；第二ZnO:Al透明导电薄膜（6）；P型非晶硅层（5）；含有硅量子点的氮化硅薄膜层（4）；N型单晶硅基片（3）；第一ZnO:Al透明导电薄膜（2）；Al金属膜背电极（1）。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。