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公开(公告)号：CN103618037A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310606319.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/025 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p-n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105244414A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510678656.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN102403378A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110365782.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子点氮化硅薄膜，P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层，可以有效的提高电池的光电转换效率，又由于采用ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103346168A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN103618037B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310606319.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161576B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510677976.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN102403378B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110365782.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子点氮化硅薄膜，P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层，可以有效的提高电池的光电转换效率，又由于采用ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN105244414B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510678656.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN103346168B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310248583.5
申请日：2013-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN105161576A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510677976.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。
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